一种电子封装用钼铜合金散热片的轧制方法技术

技术编号:37845364 阅读:25 留言:0更新日期:2023-06-14 22:29
本发明专利技术涉及一种电子封装用钼铜合金散热片的轧制方法,所述轧制方法包括以下步骤:(1)将钼铜合金坯料进行第一单向轧制处理,得到轧制后坯料;(2)将步骤(1)得到的所述轧制后坯料进行第二单向轧制处理,得到钼铜合金散热片。本发明专利技术提供的轧制方法不仅能够解决钼铜合金轧制过程中的开裂问题,而且能够降低合金材料的线膨胀系数,随温度变化产品的线膨胀系数更稳定,满足热沉材料的后续封装要求,有效提高芯片的运行效率和使用寿命。芯片的运行效率和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种电子封装用钼铜合金散热片的轧制方法


[0001]本专利技术涉及电子封装材料
,具体涉及一种电子封装用钼铜合金散热片的轧制方法。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的飞速发展,半导体用芯片集成度也越来越高,运行速度也要求较原来加快,因此,如何加快改善芯片的高效散热问题是目前研究的关键。钼铜合金是由钼铜两种互不固溶的金属组合而成的“假合金”,通常由钼、铜粉体通过粉末冶金的方法制备而成。钼铜合金既有钼金属的纯钼强度、硬度高、热膨胀系数低的特点,还具有铜金属的良好导电导热性,因此钼铜合金拥有良好的耐高温性、导电导热性和易加工性等卓越的综合性能,应用于电子封装领域可以有效传导电子器件的热量,有助于冷却IGBT模块、LED芯片等产品,从而提高芯片运行效率并延长其使用寿命。
[0003]目前,可用于电子封装热沉材料的钼铜合金通常采用熔渗法或者高温液相烧结法制备坯料,然后采用传统双向交替热轧至目标厚度。然而,由于钼铜合金是由钼、铜两种互不固溶的金属组合而成的“假合金”,因此在传统双向交替热轧的轧制过程中极其容易开裂问题。另外,传统双向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装用钼铜合金散热片的轧制方法,其特征在于,所述轧制方法包括以下步骤:(1)将钼铜合金坯料进行第一单向轧制处理,得到轧制后坯料;(2)将步骤(1)得到的所述轧制后坯料进行第二单向轧制处理,得到钼铜合金散热片。2.根据权利要求1所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)所述钼铜合金坯料中铜的质量百分含量为5

40%。3.根据权利要求1或2所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)所述钼铜合金坯料的厚度为15

20mm。4.根据权利要求1

3任一项所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)所述第一单向轧制处理包括至少1道次的热轧处理;优选地,每道次所述热轧处理的方向相同。5.根据权利要求4所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)每道次所述热轧处理的下压量为0.5

1mm;优选地,所述热轧处理的温度为320

350℃。6.根据权利要求4所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)每道次所述热轧处理后进行回火处理;优选地,所述回火处理的温度为320

350℃。7.根据权利要求1

6任一项所述的轧制方法,其特征在于,步骤(1)所述第一单向轧制处理的终点为:坯料的厚度>目标厚度,且二者的差值为0.3

0.5mm。8.根据权利要求1

7任一项所述的轧制方法,其特征在于,步骤(2)所述第二单向轧制处理包括至少1道次的冷轧处理;优选地,所述第二单向轧制处理的轧制方向与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军潘杰慕二龙王学泽汪焱斌
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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