一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供了一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，例如，硼掺杂多晶硅、硼磷掺杂多晶硅，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机酸以及超纯水。本发明专利技术的蚀刻液通过添加剂的作用，能够得到表面张力低、浸润性优的蚀刻液，同时添加剂和有机酸的加入对掺杂多晶硅具有保护效果，可以在掺杂多晶硅表面形成稳定的保护膜，选择性地蚀刻二氧化硅，二氧化硅和掺杂多晶硅的蚀刻选择比可以达到2000以上，且掺杂多晶硅层蚀刻后的表面粗糙度在0.050nm以下。本发明专利技术的蚀刻液在不影响二氧化硅层和氮化硅膜层蚀刻速率的情况下，对掺杂多晶硅层具有更优的保护效果。多晶硅层具有更优的保护效果。多晶硅层具有更优的保护效果。

【技术实现步骤摘要】
一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液


[0001]本专利技术属于蚀刻液领域，具体为一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液。

技术介绍

[0002]在集成电路和其它电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层的导电材料、半导体材料和介电材料，或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。一种用来隔离半导体器件的原件的方法被称作浅槽隔离(STI)工艺，其通常包括采用形成于硅基片上的氮化硅层，在氮化硅层中形成浅槽，沉积介电材料(例如氧化物)来填充所述槽。通常会在基片的顶部沉积过量的介电材料，以确保完全填充所述槽。
[0003]目前在集成电路制造中，要求在蚀刻二氧化硅和氮化硅的同时，尽量少的蚀刻多晶硅，稳定保护多晶硅层，同时二氧化硅层和氮化硅层具有一定的蚀刻选择比。一般是采用缓冲氧化物蚀刻液(HF+NH4F+DIW)来蚀刻去除二氧化硅层和氮化硅层，但常规的缓冲氧化物蚀刻液会导致二氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比低，且会造成多晶硅层loss较多，不利于选择性的可控蚀刻。随着芯片制程的发展，深宽比由5
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液成分为2
‑
8 wt%的氢氟酸、10
‑
25 wt%的氟化铵、0.01
‑
0.1 wt%的添加剂、0.01
‑
0.1 wt%的有机酸、余量为超纯水。2.根据权利要求1所述的相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，其特征在于：所述添加剂为含羧基的阴离子表面活性剂，包括十二烷基琥珀酸、聚环氧琥珀酸、脂肪醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庭，贺兆波，叶瑞，李金航，徐子豪，武昊冉，许真，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：