半导体装置及半导体模组制造方法及图纸

半导体装置1具备：半导体层40；晶体管10及晶体管20，形成在半导体层40内；1个以上的第1源极焊盘111、以及第1栅极焊盘119，形成在半导体层40的上表面的区域S1中，第1源极焊盘与晶体管10的源极连接，第1栅极焊盘与栅极连接；以及1个以上的第2源极焊盘121、及第2栅极焊盘129，形成在半导体层40的上表面的在半导体层40的平面图中与区域S1相邻的区域S2中，第2源极焊盘与晶体管(20)的源极连接，第2栅极焊盘与栅极连接；在半导体层40的平面图中，将第1栅极焊盘119的中心与第2栅极焊盘129的中心连结的假想直线91经过半导体层40的中心，与半导体层40的各边所成的角是45度；区域S1和区域S2的上表面边界线600在半导体层40的长边延伸的长边方向及短边延伸的短边方向上单调地变化。边方向及短边延伸的短边方向上单调地变化。边方向及短边延伸的短边方向上单调地变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体模组


[0001]本专利技术涉及半导体装置及使用它的半导体模组。

技术介绍

[0002]以往，已知安装于安装衬底、对安装衬底中的电流路径的导通状态和非导通状态进行切换的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－129308号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]通常，对在安装衬底中主电流流动的电流路径进行设计，以使得能够有效率地使电流流动(例如使得减小导通电阻，或者/以及例如将由导通电流带来的发热有效地散热)。因此，希望的是，安装于安装衬底的对主电流流动的电流路径的导通状态和非导通状态进行切换的半导体装置具有能够有效率地使电流在安装衬底的电流路径中流动的特征。主电流越是大电流则越追求这一点。
[0008]因此，本公开的目的在于，提供具有能够有效率地使电流在供安装的安装衬底的电流路径中流动的特征的半导体装置、以及具有能够有效率地使电流在安装衬底的电流路径中流动的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体层；金属层，与上述半导体层的背面接触而形成；第1纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层的内部的第1半导体层内区域；第2纵型MOS晶体管，形成在上述内部的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层内区域相邻的第2半导体层内区域；第1栅极焊盘及1个以上的第1源极焊盘，形成在上述半导体层的上表面的第1半导体层上表面区域，上述第1源极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第1栅极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的栅极电极连接；以及第2栅极焊盘及1个以上的第2源极焊盘，形成在上述上表面的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层上表面区域相邻的第2半导体层上表面区域，上述第2源极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第2栅极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的栅极电极连接；上述第1半导体层内区域和上述第2半导体层内区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方；上述第1半导体层上表面区域和上述第2半导体层上表面区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方；上述半导体层具有半导体衬底；上述半导体衬底作为上述第1纵型MOS晶体管及上述第2纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；上述半导体层在上述半导体层的平面图中是矩形；在上述半导体层的平面图中，将上述第1栅极焊盘的中心与上述第2栅极焊盘的中心连结的第1假想直线经过上述半导体层的中心，与上述半导体层的各边所成的角是45度；上述第1半导体层上表面区域与上述第2半导体层上表面区域之间的边界线即上表面边界线的长度比上述半导体层的长边的长度长；上述上表面边界线，在上述长边延伸的长边方向及上述半导体层的短边延伸的短边方向上单调地变化。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体层在上述半导体层的平面图中是正方形。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在上述半导体层的平面图中，上述第1栅极焊盘配置为，使得上述1个以上的第1源极焊盘的任一部分都不夹在上述第1栅极焊盘与上述半导体层的4个边中的最接近的第1边及第2边之间；在上述半导体层的平面图中，上述第2栅极焊盘配置为，使得上述1个以上的第2源极焊盘的任一部分都不夹在上述第2栅极焊盘与上述半导体层的4个边中的最接近的第3边及第4边之间。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
在将上述上表面边界线与上述第1边或上述第2边的交点设为第1交点，将上述上表面边界线与上述第3边或上述第4边的交点设为第2交点的情况下，将上述第1交点与上述第2交点连结的第2假想直线与上述第1假想直线在上述半导体层的平面图中所成的角比45度大且是90度以下。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，上述角是60度以上90度以下。6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在将上述上表面边界线与上述第1边或上述第2边的交点设为第1交点，将上述上表面边界线与上述第3边或上述第4边的交点设为第2交点的情况下，将上述第1交点与上述第2交点连结的第2假想直线与上述第1假想直线在上述半导体层的平面图中所成的角是0度以上且小于45度。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述角是0度以上且小于22度。8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在上述半导体层的平面图中，在上述半导体层的4个边中，将与上述第1栅极焊盘最接近并且具有与上述上表面边界线的交点的边设为第1边，将与上述第1栅极焊盘最接近并且不具有与上述上表面边界线的交点的边设为第2边，将与上述第2栅极焊盘最接近并且具有与上述上表面边界线的交点的边设为第3边，将与上述第2栅极焊盘最接近并且不具有与上述上表面边界线的交点的边设为第4边，将上述第1边与上述第4边所成的顶点设为第1顶点，将上述第2边与上述第3边所成的顶点设为第2顶点，将上述上表面边界线与上述第1边的交点设为第1交点，将上述上表面边界线与上述第3边的交点设为第2交点的情况下，上述第1顶点与上述第1交点的距离是上述半导体层的边的长度的1/N以上，并且比上述第2栅极焊盘的最大径长，上述第2顶点与上述第2交点的距离是上述半导体层的边的长度的1/N以上，并且比上述第1栅极焊盘的最大径长，N是3以上的整数；与上述第2边平行的N－1条线段以及与上述第1边平行的N－2条线段交替地连接而形成上述上表面边界线。9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，N是3、4或5的任一个。10.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，上述1个以上的第1源极焊盘是多个；在上述半导体层的平面图中，上述1个以上的第1源极焊盘分别是在与上述第1边平行的方向上具有长度方向的长方形或长圆形，与上述第1边平行地形成为条状；上述1个以上的第2源极焊盘是多个；在上述半导体层的平面图中，上述1个以上的第2源极焊盘分别是在与上述第1边平行的方向上具有长度方向的长方形或长圆形，与上述第1边平行地形成为条状。11.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述1个以上的第1源极焊盘是1个，配置在除了上述第1栅极焊盘的区域以外的上述第1半导体层上表面区域的大致整个面；
上述1个以上的第2源极焊盘是1个，配置在除了上述第2栅极焊盘的区域以外的上述第2半导体层上表面区域的大致整个面。12.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述1个以上的第1源极焊盘是多个；上述1个以上的第1源极焊盘分别是与其他的第1源极焊盘对置的边分别为与上述上表面边界线正交或平行的边的形状；上述1个以上的第2源极焊盘是多个；上述1个以上的第2源极焊盘分别是与其他的第2源极焊盘对置的边分别为与上述上表面边界线正交或平行的边的形状。13.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体层；金属层，与上述半导体层的背面接触而形成；第1纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层的内部的第1半导体层内区域；第2纵型MOS晶体管，形成在上述内部的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层内区域相邻的第2半导体层内区域；第1栅极焊盘及1个以上的第1源极焊盘，形成在上述半导体层的上表面的第1半导体层上表面区域，上述第1源极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第1栅极焊盘与上述第1纵型MOS晶体管的栅极电极连接；以及第2栅极焊盘及1个以上的第2源极焊盘，形成在上述上表面的在上述半导体层的平面图中与上述第1半导体层上表面区域相邻的第2半导体层上表面区域，上述第2源极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的源极电极连接，上述第2栅极焊盘与上述第2纵型MOS晶体管的栅极电极连接；上述第1半导体层内区域和上述第2半导体层内区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方；上述第1半导体层上表面区域和上述第2半导体层上表面区域是在上述半导体层的平面图中将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方；上述半导体层具有半导体衬底；上述半导体衬底作为上述第1纵型MOS晶体管及上述第2纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；上述半导体层在上述半导体层的平面图中是矩形；在上述半导体层的平面图中，上述第1半导体层内区域与上述第2半导体层内区域之间的边界线即内部边界线在上述半导体层的长边延伸的长边方向及上述半导体层的短边延伸的短边方向上单调地变化；将上述内部边界线的一方的第1末端及上述内部边界线的另一方的第2末端连结的假想直线与上述半导体层的边中的不具有上述第1末端或上述第2末端的边所成的角是16度以上。14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
在上述半导体层的平面图中，上述内部边界线的一方的第1末端位于上述半导体层的一方的第1长边上；上述内部边界线的另一方的第2末端位于上述半导体层的另一方的第2长边上。15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，上述角是26度以上。16.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，在上述半导体层的平面图中，上述内部边界线的一方的第1末端位于上述半导体层的一方的第1短边上；上述内部边界线的另一方的第2末端位于上述半导体层的另一方的第2短边上。17.如权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，上述角是26度以上。18.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，在上述半导体层的平面图中，上述半导体层是正方形；上述内部边界线的一方的第1末端和与上述第1末端最接近的上述半导体层的顶点即第1顶点的距离是上述半导体层的边的长度的1/N以上，上述内部边界线的另一方的第2末端和与上述第2末端最接近的上述半导体层的顶点即第2顶点的距离是上述半导体层的边的长度的1/N以上，N是3以上的整数；与上述第1末端所在的上述半导体层的边正交的N－1条线段以及与上述第1末端所在的上述半导体层的边平行的N－2条线段交替地连接而形成上述内部边界线。19.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，在上述半导体层的平面图中，上述第1半导体层上表面区域与上述第2半导体层上表面区域之间的边界线即上表面边界线与上述内部边界线一致。20.一种半导体模组，其特征在于，具备：权利要求1所述的第1半导体装置；以及安装衬底，面朝下安装有上述第1半导体装置；上述安装衬底具有使与上述第1半导体装置的上述第1栅极焊盘电连接的第1导体穿过的第1通孔、以及使与上述第1半导体装置的上述第2栅极焊盘电连接的第2导体穿过的第2通孔。21.如权利要求20所述的半导体模组，其特征在于，在上述安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本兴辉，秋吉伸一，网师本亮一，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：