半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底及凸出于衬底的鳍部，鳍部包括相堆叠的多组堆叠结构，每组堆叠结构包括牺牲层以及位于牺牲层顶部的半导体层；形成横跨鳍部的伪栅，伪栅覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；刻蚀伪栅两侧的鳍部形成源漏凹槽；刻蚀源漏凹槽露出的位于伪栅底部的鳍部的牺牲层，以在刻蚀后的牺牲层沿鳍部延伸方向的两侧形成附加槽，附加槽具有朝向源漏凹槽的开口，刻蚀后的牺牲层沿鳍部延伸方向的两侧侧壁构成附加槽的底部；在附加槽的底部上形成隔离层，且隔离层未填充满附加槽；形成填充满源漏凹槽的源漏掺杂层，源漏掺杂层与隔离层间围成空隙。所述空隙有助于降低源漏掺杂层与金属栅间的寄生电容。电容。电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：