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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底及凸出于衬底的鳍部，鳍部包括相堆叠的多组堆叠结构，每组堆叠结构包括牺牲层以及位于牺牲层顶部的半导体层；形成横跨鳍部的伪栅，伪栅覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；刻蚀伪栅两侧的鳍部形成源漏凹槽；刻...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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