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半导体装置1具备：半导体层40；晶体管10及晶体管20，形成在半导体层40内；1个以上的第1源极焊盘111、以及第1栅极焊盘119，形成在半导体层40的上表面的区域S1中，第1源极焊盘与晶体管10的源极连接，第1栅极焊盘与栅极连接；以及1个...
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