高压释放电路、存储器和电子设备制造技术

本申请涉及存储器技术领域，公开一种高压释放电路，包括放控制电路、偏置电流电路、第一释放电路和第二释放电路。其中，控制电路用于接收存储器的电荷泵输出的正高压，根据正高压输出控制信号。偏置电流电路用于根据控制信号为第一释放电路提供偏置电流。第一释放电路用于根据控制信号按照预设电流释放正高压的电压值到第一预设数值。第二释放电路用于在正高压的电压值到第一预设数值的情况下，释放正高压的电压值到第二预设数值。这样，正高压在释放到第一预设数值的过程中，正高压的电压下降呈线性变化。从而能够提高存储器的可靠性。本申请还公开一种存储器和电子设备。申请还公开一种存储器和电子设备。申请还公开一种存储器和电子设备。

【技术实现步骤摘要】
高压释放电路、存储器和电子设备


[0001]本申请涉及存储器
，例如涉及一种高压释放电路、存储器和电子设备。

技术介绍

[0002]在存储器设计中，编程结束后编程高压需要释放。图1为现有的高压释放电路，结合图1所示，第四电阻1的一端接地，第四电阻1的另一端连接第五电阻2的一端和第二比较器4的第一输入端；第二比较器4的第二输入端用于接收预设的参考基准电压；第五电阻2的另一端连接第十一NMOS管5的漏极和第十一NMOS管5的栅极，并用于接收存储器的电荷泵输出的存储器编程的正高压(HVPOS)；第十一NMOS管5的源极连接第九NMOS管6的漏极；第九NMOS管6的栅极连接电源；第九NMOS管6的源极连接第十NMOS管7的漏极；第十NMOS管7的栅极连接第二比较器4的输出端；第十NMOS管7的源极接地。其中，电源为VCC，地线为GND。
[0003]通过现有的高压释放电路，HVPOS从较高的电压开始释放时，例如：HVPOS为10V，VCC为2V。在HVPOS的分压信号DET大于参考基准电压VREF的情况下，第二比较器的输出端输出为高电平，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压释放电路，其特征在于，包括：控制电路，连接偏置电流电路、第一释放电路和第二释放电路；所述控制电路用于接收存储器的电荷泵输出的正高压，根据正高压输出控制信号；偏置电流电路，连接第一释放电路和第二释放电路；所述偏置电流电路用于根据控制信号为第一释放电路提供偏置电流；第一释放电路，连接第二释放电路；所述第一释放电路用于根据控制信号按照预设电流释放正高压的电压值到第一预设数值；第二释放电路，用于在正高压的电压值到第一预设数值的情况下，释放正高压的电压值到第二预设数值。2.根据权利要求1所述的高压释放电路，其特征在于，所述控制电路包括：第一电阻、第二电阻和第一比较器；第一电阻的一端接地，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端和第一比较器的第一输入端；第二电阻的另一端连接第一释放电路和第二释放电路，并用于接收存储器的电荷泵输出的正高压；第一比较器的第二输入端用于接收预设的参考基准电压；第一比较器的输出端连接第一释放电路、偏置电流电路和第二释放电路。3.根据权利要求1所述的高压释放电路，其特征在于，所述偏置电流电路，包括：第五NMOS管、第六NMOS管和电流源；电流源的一端连接电源，电流源的另一端连接第六NMOS管的漏极和第六NMOS管的栅极；第六NMOS管的栅极连接第一释放电路，第六NMOS管的源极连接第五NMOS管的漏极；第五NMOS管的栅极连接控制电路、第一释放电路和第二释放电路，第五NMOS管的源极接地。4.根据权利要求1所述的高压释放电路，其特征在于，所述第一释放电路，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；第三NMOS管的漏极和栅极连接控制电路，并接收存储器的电荷泵输出的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金煌，马继荣，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：