波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构制造技术

本发明专利技术提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构，波导型光电探测器包括：衬底，衬底上形成有探测器区域，探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于第二锗光吸收层上。本发明专利技术通过双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。探测器。探测器。

【技术实现步骤摘要】
波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构


[0001]本专利技术属于集成微波光子学
，特别是涉及一种高功率的波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构。

技术介绍

[0002]片上集成近年来成为微波光子学的必然发展趋势之一，由于硅基光电子集成技术可充分利用成熟的CMOS工艺技术，将硅基器件如调制器、光电探测器、及其他无源器件用硅波导实现连接，实现大规模的集成，从而减小光电子器件及集成系统的尺寸、降低其成本，因此利用硅基光电子技术，研究高性能、低成本的集成微波光子系统成为十分有潜力的发展方向。高性能的光电探测器是微波光子系统用来接收光信号的关键器件，为了提高系统的链路增益，需要增大输入光功率，进而要求光电探测器能够具有高的饱和输出功率。
[0003]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波导型光电探测器，其特征在于，所述波导型光电探测器包括：衬底，所述衬底上形成有探测器区域，所述探测器区域包括N型掺杂区以及位于所述N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于所述N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于所述第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于所述P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于所述第二锗光吸收层上。2.根据权利要求1所述的波导型光电探测器，其特征在于：所述波导型光电探测器具有第一输入端和第二输入端。3.根据权利要求2所述的波导型光电探测器，其特征在于：所述波导型光电探测器还包括硅波导，所述硅波导包括与所述探测器区域一端连接的第一锥形波导、与所述第一锥形波导相连的第一直波导、与所述探测器区域另一端的第二锥形波导以及与所述第二锥形波导相连的第二直波导。4.根据权利要求1所述的波导型光电探测器，其特征在于：所述波导型光电探测器还包括覆盖于所述衬底上的第一包覆层，所述第一包覆层形成有第一锗生长窗口，所述第一锗生长窗口显露所述N型掺杂区，所述第一锗光吸收层及所述P型重掺杂的锗材料层被限制于所述第一锗生长窗口中。5.根据权利要求1所述的波导型光电探测器，其特征在于：所述波导型光电探测器还包括覆盖于所述衬底上的第二包覆层，所述第二包覆层形成有第二锗生长窗口，所述第二锗生长窗口显露所述P型重掺杂的锗材料层，所述第二锗生长窗口的宽度小于所述P型重掺杂的锗材料层的宽度，所述第二锗光吸收层及所述N型重掺杂的锗材料层被限制于所述第二锗生长窗口中。6.根据权利要求2所述的波导型光电探测器，其特征在于：所述波导型光电探测器还包括覆盖于所述衬底上的第三包覆层，所述第三包覆层中形成有多...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂芝娟，汪巍，蔡艳，余明斌，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：