波导型受光元件制造技术

技术编号:37677672 阅读:35 留言:0更新日期:2023-05-26 04:43
至少具有光吸收层(4)的脊形构造(7)设置在半导体基板(1)上。具有比光吸收层(4)低的折射率的半导体埋入层(8)将光吸收层(4)的侧面埋入。具有光吸收层(4)与半导体埋入层(8)之间的折射率的半导体层(13)设置在光吸收层(4)的侧面与半导体埋入层(8)之间。将半导体层(13)的折射率设为n3,将入射光(15)的波长设为λ,半导体层(13)的横向的厚度为λ/(4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】波导型受光元件


[0001]本公开涉及用于光纤通信等的波导型受光元件。

技术介绍

[0002]随着通信容量的显著增加,正在谋求通信系统的大容量化。因此,需要光通信设备的高速化。决定光通信设备中使用的半导体受光元件即光电二极管(以下为PD)的响应速度的重要因素之一是CR时间常数。该CR时间常数由半导体受光元件的元件电容和元件电阻来决定。为了提高响应速度,需要减小CR时间常数。因此,降低元件电容是重要的。
[0003]为了降低元件电容,例如为了得到40GHz以上的高速响应性而采用波导型受光元件。这是从外延生长层的侧面入射光的构造,与通常的面入射型构造不同,能够使灵敏度和频带单独最优化。因此,成为适于高速动作的构造。
[0004]波导型受光元件还大致分为两种。一种是加感型受光元件。在加感型受光元件中,将光波导形成至劈开端面。使光入射到该波导中,使光波导至形成在从该入射部离开了几μm以上的位置的光吸收层,在该光吸收层中,对从引导层沿层厚方向渗出的瞬逝光进行光电转换。因此,光电转换是间接的,入射端面附近的光电流的集中被缓和,具有即使在入射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种波导型受光元件,其特征在于,具备:半导体基板;脊形构造,其设置在所述半导体基板上,至少包括光吸收层;半导体埋入层,其将所述光吸收层的侧面埋入,并具有比所述光吸收层低的折射率;以及半导体层,其设置在所述光吸收层的侧面与所述半导体埋入层之间,并具有所述光吸收层与所述半导体埋入层之间的折射率,将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度为λ/(4
×
n3)的

30%到+20%的范围内。2.根据权利要求1所述的波导型受光元件,其特征在于,所述光吸收层的折射率的虚部不是零,将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度被设定为比λ/(...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹村亮太
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1