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至少具有光吸收层(4)的脊形构造(7)设置在半导体基板(1)上。具有比光吸收层(4)低的折射率的半导体埋入层(8)将光吸收层(4)的侧面埋入。具有光吸收层(4)与半导体埋入层(8)之间的折射率的半导体层(13)设置在光吸收层(4)的侧面与半...
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