保温套筒及单晶炉制造技术

技术编号:37843698 阅读:25 留言:0更新日期:2023-06-14 09:49
本发明专利技术涉及单晶硅生产设备的技术领域,提供一种保温套筒及单晶炉,保温套筒内部具有空腔且上端设置有开口;保温套筒的上侧设置有散热孔,散热孔位于保温套筒的内壁上;保温套筒的底部设置有排气孔;保温套筒的筒壁内设置有至少一条气体流道,散热孔通过气体流道与排气孔连通。在拉制单晶硅棒时,由于散热孔的位置靠近硅液液面处的高温区,硅液液面处的热量以及积聚在硅液上方的一氧化硅蒸汽可以直接通过散热孔、气体流道以及排气孔所形成的排空通路排出,缩短了热量以及一氧化硅蒸汽的排空路径,同时在排空过程中热量无需经过加热器的整个热场,因而提高了硅液液面处的散热速率,可以有效降低固液界面温度,提升拉速。提升拉速。提升拉速。

【技术实现步骤摘要】
保温套筒及单晶炉


[0001]本专利技术涉及单晶硅生产设备的
,尤其涉及一种保温套筒及单晶炉。

技术介绍

[0002]随着能源与环境问题的日益严峻,人们致力于清洁可再生能源的开发,太阳能作为绿色能源受到人们的广泛关注。光伏发电是利用太阳能电池板直接将太阳能转化为电能的技术。单晶硅是太阳能电池板的主要原料,单晶炉是用来制作单晶硅棒的设备。
[0003]现有技术中,单晶炉一般包括炉体,炉体内设置有保温筒,保温筒内设置有加热器、坩埚等;炉体的底部设置有导气筒,用于散热以及排出保温筒内的气体。生产单晶硅时,坩埚内的硅料在加热器的作用下形成熔融体,然后在保护气的氛围下,采用直拉法得到单晶硅棒。
[0004]在拉制硅棒时,需要使用真空泵连接导气筒,以对硅液表面进行降温,以及时排出单晶硅生长过程的结晶潜热,使其保持适合单晶硅生长的温度梯度,同时排出单晶硅生长过程产生的一氧化硅蒸汽。但设置于炉体的底部导热筒距离热量集中区域较远,坩埚内液面处的热量难以及时散出,抑制了生产效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保温套筒,其特征在于,所述保温套筒内部具有空腔且上端设置有开口;所述保温套筒的上侧设置有散热孔(4),所述散热孔(4)位于所述保温套筒的内壁上;所述保温套筒的底部设置有排气孔(5);所述保温套筒的筒壁内设置有至少一条气体流道(6),所述散热孔(4)通过所述气体流道(6)与所述排气孔(5)连通。2.根据权利要求1所述的保温套筒,其特征在于,所述保温套筒的筒壁内设置有集流腔;所述散热孔(4)有多个且环绕所述保温套筒的轴线设置,多个所述散热孔(4)均与所述集流腔连通;所述气体流道(6)的一端与所述集流腔连通。3.根据权利要求2所述的保温套筒,其特征在于,包括筒本体(1)和散热环(2);所述筒本体(1)的上端具有开口;所述筒本体(1)的上端面设置有第一集流槽(10),所述散热环(2)盖合于所述第一集流槽(10)并与所述第一集流槽(10)围合成闭合的所述集流腔;所述气体流道(6)设置于所述筒本体(1)的筒壁内并在所述第一集流槽(10)内形成进气口(60);所述散热孔(4)设置于所述散热环(2)的内壁。4.根据权利要求3所述的保温套筒,其特征在于,所述散热环(2)的底面上对应所述第一集流槽(10)的位置设置有第二集流槽(20),多个所述散热...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁勇王胜军
申请(专利权)人:三一硅能株洲有限公司
类型:发明
国别省市:

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