一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法技术

一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，它涉及不同空位浓度二维压电纳米片的制备方法。本发明专利技术要解决现有压电纳米材料电子空穴对结合效率高，压电催化性能较差的问题。方法：将钒酸钠溶液逐滴加入到硝酸铋溶液中，然后加热，控制反应温度及反应时间，分别得到少钒空位的钒酸铋纳米片及富钒空位的钒酸铋纳米片。本发明专利技术用于钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备。维压电钒酸铋纳米片的制备。维压电钒酸铋纳米片的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法


[0001]本专利技术涉及不同空位浓度二维压电纳米片的制备方法。

技术介绍

[0002]调变金属氧化物的表面结构来提高其物理化学性能受到了广的泛关注。根据文献报道，缺陷工程在高性能金属氧化物的构建中起着重要作用。缺陷的引入可以调节金属氧化物的表面微观结构(几何结构和电子结构)，这是光子或声子激活金属氧化物时增强电子空穴对分离和阻止电子空穴对再结合的一种有效的方法。空位缺陷可以设计为阴离子缺陷(硫、氧和硒缺陷等)和阳离子缺陷(金属离子缺陷)。金属氧化物中的阴离子缺陷通常可以作为电子的供体，引入氧缺陷被认为是提高催化性能、声敏剂性能最常见的方法之一，它可以在禁带中产生不同能级的新电子态。已有文献报道了具有氧缺陷结构的超细棒状氧化钛用于超声增强的抗肿瘤治疗。同样，阳离子缺陷可以捕获质子并促进电子迁移，从而有效地调节金属氧化物的电子和能带结构。例如制备了具有铋阳离子空位的玫瑰状氧氯铋，赋予了该材料更多的吸附和催化位点可用于光催化二氧化碳还原。
[0003]压电催化技术因其在机械应力作用下能在压电材料中形成内电场而受到广泛关注。压电半导体可以调节电子和空穴向相反方向迁移，在导带和价带上触发表面氧化还原反应。一些压电材料(比如氧化锌、铋基材料等)是半导体，具有优异的光反应性能可作为光催化剂。纳米材料的光热转化机制与其内部的电子或空穴也有着极大的关系。目前，也有一些压电材料包括硫化钼、钼酸铋和硝酸铌钠等已经被开发作为声敏剂用于声动力抗肿瘤治疗。超声诱导气泡破裂产生的压力可以作为压电材料的机械应力实现压电催化，从而促进反应活性氧的产生以增强声动力治疗效果。
[0004]钒酸铋作为一种具有较强催化能力和合适能带的典型光催化材料已被广泛研究，并且对其压电及压电催化性能进行了探索。光催化作为一种高级氧化过程被广泛用于有效控制污染物和储氢等领域。然而，环境光催化的净化效率受限于光生电子
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空穴对的快速复合。最近，新兴的研究已经针对通过压电效应产生内电场来提高光生电荷载流子的分离效率以获得更好的光催化性能。然而，绝大多数的光催化试剂性能单一、光声电子空穴对再结合效率高、形貌及尺寸大小难控制等问题，限制了他们在催化、传感以及生物医学领域中的应用；因此制备兼具压电催化及非中心对称晶体结构可控的纳米催化剂可能是一种比较好的解决方法。目前，制备具有压电催化性能、缺陷结构钒酸铋的方法的报道还极少，因此也限制了该材料在不同领域的应用前景。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决现有压电纳米材料电子空穴对结合效率高，压电催化性能较差的问题，进而提供一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法。
[0006]一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，它是按以下步骤进行的：
[0007]一、将硝酸铋溶解于去离子水中，搅拌得到硝酸铋溶液；
[0008]二、将钒酸钠溶解于去离子水中，搅拌得到钒酸钠溶液；
[0009]三、将钒酸钠溶液逐滴加入到硝酸铋溶液中，在室温条件下持续搅拌2h～3h，得到混合溶液；
[0010]所述的硝酸铋溶液中硝酸铋与钒酸钠溶液中钒酸钠的质量比为(2.5～2.75):1；
[0011]四、将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中加热；
[0012]若混合溶液温度升温至100℃～105℃，并在温度为100℃～105℃的条件下，反应11.5h～12.5h，反应结束后自然冷却降至室温，离心收集并洗涤干燥，得到少钒空位的钒酸铋纳米片；
[0013]若混合溶液温度升温至160℃～165℃，并在温度为160℃～165℃的条件下，反应2.5h～3.5h，反应结束后自然冷却降至室温，离心收集并洗涤干燥，得到富钒空位的钒酸铋纳米片。
[0014]本专利技术的优点：
[0015]①
、本专利技术制备了一种形貌尺寸可控及电子
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空穴对能有效分离、不同钒空位浓度的二维压电型钒酸铋纳米片，具有良好的压电性能，V
v
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r BiVO4纳米片的压电共轭系数大约为5pm/V，压电共轭系数越大，越大材料的压电性能越高。
[0016]②
、采用简单的水热法，钒酸钠作为钒源，硝酸铋作为铋源，在高温下高压反应生成二维纳米片状钒酸铋。
[0017]③
、通过密度泛函理论计算揭示了在钒酸铋纳米片中引入钒空位将引发新的缺陷水平和更高的空穴浓度，能够有效的提高纳米片对光的吸收性能和促进电子向导带移动，证实了引入钒空位能够有效的抑制电子空穴对再结合和提高电子空穴对的分离效率。所制备的丰富钒空位的钒酸铋纳米片是典型的压电材料，超声辐射诱发压电响应产生机械应变导致压电极化和能带倾斜，从而能抑制电子
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空穴对的再结合效率，加速有毒反应活性氧物种的产生。此外，钒空位的钒酸铋具有良好的过氧化物酶活性和谷胱甘肽消耗能力，能够提高反应活性氧物种的产量。因此，具有丰富钒空位浓度的钒酸铋有望应用于纳米生物医学研究领域。
[0018]④
、钒酸铋中铋离子具有较高的X射线衰减系数，可作为计算机断层扫描成像造影剂、用于疾病诊断和实时监测治疗过程。
[0019]因此，本专利技术不同钒空位浓度的二维压电型钒酸铋纳米片的制备方法简单、水溶性及压电性能良好，兼具电子
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空穴对高效分离等特性。
[0020]本专利技术用于一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法。
附图说明
[0021]图1为实施例一钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备过程示意图；
[0022]图2为实施例一制备的V
v
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片的X射线衍射谱图；
[0023]图3为实施例一制备的V
v
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片的TEM成像图；
[0024]图4为实施例一制备的V
v
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片的元素映射图；
[0025]图5为实施例一制备的V
v
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片的能量色散谱图；
[0026]图6为实施例一制备的V
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片的电子超顺磁共振
谱图，1为V
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r BiVO4纳米片，2为V
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p BiVO4纳米片；
[0027]图7为实施例一制备的V
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r BiVO4纳米片和V
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p BiVO4纳米片中钒离子的高分辨X射线光电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：一、将硝酸铋溶解于去离子水中，搅拌得到硝酸铋溶液；二、将钒酸钠溶解于去离子水中，搅拌得到钒酸钠溶液；三、将钒酸钠溶液逐滴加入到硝酸铋溶液中，在室温条件下持续搅拌2h～3h，得到混合溶液；所述的硝酸铋溶液中硝酸铋与钒酸钠溶液中钒酸钠的质量比为(2.5～2.75):1；四、将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中加热；若混合溶液温度升温至100℃～105℃，并在温度为100℃～105℃的条件下，反应11.5h～12.5h，反应结束后自然冷却降至室温，离心收集并洗涤干燥，得到少钒空位的钒酸铋纳米片；若混合溶液温度升温至160℃～165℃，并在温度为160℃～165℃的条件下，反应2.5h～3.5h，反应结束后自然冷却降至室温，离心收集并洗涤干燥，得到富钒空位的钒酸铋纳米片。2.根据权利要求1所述的一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，其特征在于步骤一中所述的硝酸铋溶液的浓度为9.5mg/mL～10mg/mL。3.根据权利要求1所述的一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，其特征在于步骤二中所述的钒酸钠溶液的浓度为3.5mg/mL～3.7mg/mL。4.根据权利要求1所述的一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，其特征在于在于步骤一中将硝酸铋溶解于去离子水中，在转速为500rpm...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯莉莉，杨飘萍，赵若茜，朱彦霖，于程昊，王文卓，胡耀誉，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：