一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液，其包含氟化氢、氟化氢铵、有机硼烷化合物、阴离子表面活性剂、pH调节剂和水，其中所述蚀刻液的pH为3

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液及其制备方法
专利

[0001]本专利技术涉及氧化硅蚀刻液，尤其是涉及一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液及其制备方法。
[0002]专利技术背景
[0003]随着信息
的发展，在现今社会中，半导体集成电路在各种各样的产业领域的电子设备中广泛使用。在半导体集成电路的制造中，氧化硅层可以用于提供图案和绝缘层。去除氧化硅层特定部分的典型方法可以包括例如可以使用蚀刻液的湿法蚀刻工艺，该蚀刻液包括蚀刻活性主要组分，例如稀氢氟酸溶液(DHF)或缓冲氢氟酸溶液(BHF)。
[0004]然而，随着半导体集成电路的集成性和各种功能增加，具有完全不同的蚀刻特性的各种层可以在半导体基板上共存。例如，基板上的氮化物层可以包括例如氮化硅(SiN)层。氮化硅层可以用于具有不同特性的各种层，例如，HT(高温)氮化硅层、LP(低压)氮化硅层、ALD(原子层沉积)氮化硅层等。
[0005]因此，需要一种相对于氮化硅对氧化硅具有高选择性的蚀刻方法。

技术实现思路

[0006]为此，本专利技术提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液，其包含氟化氢、氟化氢铵、有机硼烷化合物、阴离子表面活性剂、pH调节剂和水，其中所述蚀刻液的pH为3
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4。2.权利要求1的蚀刻液，其中所述有机硼烷化合物具有以下结构通式：其中R1、R2和R3独立地选自包含1至20个碳原子的线型或支化的烷基基团、环烷基基团或芳基基团。3.权利要求2的蚀刻液，其中所述有机硼烷化合物选自三乙基硼烷、三正丁基硼烷和三仲丁基硼烷。4.权利要求1的蚀刻液，其中所述阴离子表面活性剂包括烷基苯磺酸盐、烷基硫酸盐、烷基醚硫酸盐、烷氧基化酰胺、烯烃磺酸盐、烷基磺基琥珀酸盐化合物及其混合物。5.权利要求4的蚀刻液，其中所述阴离子表面活性剂选自十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠和二辛基琥珀酸磺酸钠。6.权利要求1的蚀刻液，其中所述pH调节剂包括氨水。7.权利要求1的蚀刻液，其中所述蚀刻液中氟化氢的量为2
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈烨铭，何珂，郑武，
申请(专利权)人：江阴润玛电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：