一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明专利技术实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构，提高了探测器的工作耐压，降低了器件的漏电。降低了器件的漏电。降低了器件的漏电。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体核探测器
，具体涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]核探测器利用射线与物质的相互作用产生的测量信号来反映射线剂量、强度、时变特性等信息，是核测量装置的核心部件，在受控核反应、国防、边防、放射性医学、空间探测及高能物理等领域具有广泛的应用。随着核技术的不断发展，对核探测器的探测性能、抗辐照能力以及恶劣环境生存能力提出了更高的要求，以硅、锗等半导体材料制作的传统半导体核探测器已不能满足目前的发展需求，急需研究开发新型核探测器。
[0003]金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高、击穿电场强度高、耐高温高压和抗恶劣环境冲击等优异物理特性，十分适合制作高性能的核探测器，欧洲核子中心将金刚石核探测器安装在大型强子对撞机上，展示了极高的抗辐照能力和亚纳秒的时间响应速度，大大优于硅基核探测器。由于金刚石的n型和p型掺杂技术还不成熟，杂质又会引入深能级陷阱从而恶化了非平衡载流子的收集，因此目前的金刚石核探测器的结构以垂直或者平面金属<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高压低漏电的金刚石核探测器，其特征在于，包括：金刚石(1)、第一绝缘介质层(2)、第一欧姆接触电极(3)、第二绝缘介质层(4)和第二欧姆接触电极(5)，其中，所述第一欧姆接触电极(3)位于所述金刚石(1)的第一表面上，所述第一绝缘介质层(2)包围所述第一欧姆接触电极(3)，且所述第一欧姆接触电极(3)的边缘向两侧延伸并覆盖部分所述第一绝缘介质层(2)以形成场板结构；所述第二欧姆接触电极(5)位于所述金刚石(1)的第二表面上，所述第二绝缘介质层(4)包围所述第二欧姆接触电极(5)，且所述第二欧姆接触电极(5)的边缘向两侧延伸并覆盖部分所述第二绝缘介质层(4)以形成场板结构。2.根据权利要求1所述的耐高压低漏电的金刚石核探测器，其特征在于，所述第一欧姆接触电极(3)位于所述金刚石(1)第一表面的中央区域，所述第二欧姆接触电极(5)位于所述金刚石(1)第二表面的中央区域。3.根据权利要求1所述的耐高压低漏电的金刚石核探测器，其特征在于，所述第一绝缘介质层(2)和所述第二绝缘介质层(4)的材料均包括SiO2、Al2O3中的一种或多种，厚度均为100～300nm。4.根据权利要求1所述的耐高压低漏电的金刚石核探测器，其特征在于，所述第一欧姆接触电极(3)和所述第二欧姆接触电极(5)均采用多层金属结构或者氢终端/金属电极调控结构，厚度均为150～350nm。5.一种耐高压低漏电的金刚石核探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏凯，米天和，张金风，王唯，任泽阳，王东，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：