电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置制造方法及图纸

本申请属于射频开关技术领域，提供了一种电感对、包括所述电感对的高功率非对称开关、射频收发前端芯片、集成电路芯片和电子装置，其中，电容元件的第一端、低耦合电感对的公共端共接于第一信号端，电容元件的第二端接地，低耦合电感对的第一分支端、第一半导体开关模块的第一端共接于第二信号端，第一半导体开关模块的第二端接地，低耦合电感对的第二分支端、第二半导体开关模块的第一端共接于隔离增强模块的第一端，第二半导体开关模块的第二端接地，隔离增强模块的第二端与第三信号端连接，通过增加隔离增强模块提升隔离度，从而保护接收端低噪声放大器避免受到功率放大器产生的功率泄露的影响。生的功率泄露的影响。生的功率泄露的影响。

【技术实现步骤摘要】
电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置


[0001]本申请涉及射频
，尤其涉及一种电感对、包括所述电感对的高功率非对称开关、射频收发前端芯片、集成电路芯片和电子装置。

技术介绍

[0002]应用相控阵系统时，由于辐射波束的角度调整，阵列中部分TR组件(射频收发前端组件)的天线端由于信号反射，造成阻抗牵引失配，反射的信号会对TR组件造成不良影响。
[0003]当相控阵系统工作于发射状态时，由于TR组件的开关阻抗失配造成发射端(TX)的功率放大器(PA)的功率泄露到低噪声放大器(LNA)的输入端，当接收端的隔离度不够时，由于泄露功率的注入，会提升低噪声放大器的栅极电压，严重时会导致低噪声放大器注入饱和，低噪声放大器的结温上升，破坏其工作稳定性和可靠性。因此需要发射损耗较低的开关和接收隔离度较高的开关，保证TR组件的性能的同时，保护接收链路的低噪声放大器的。
[0004]现有射频开关或射频开关芯片大都是基于开关型晶体管、集中参数元件电感、集中参数元件电容、电阻、微带线等元件构成。在所述元件中，电感、微带线、电容等会由于信号激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布置在集成电路芯片中的低耦合电感对，其特征在于，所述低耦合电感对包括第一电感和第二电感，第一电感的一端和第二电感的一端连接在一起作为所述低耦合电感对的公共端，第一电感的另一端和第二电感的另一端分别作为所述低耦合电感对的第一分支端和第二分支端，其中，第一电感和第二电感均为螺旋电感且第一电感和第二电感的螺旋方向相反，当所述低耦合电感对处于工作状态时，第一电感和第二电感的感应磁场的磁场方向相反，以使得第一电感和第二电感之间的互感至少部分地降低。2.根据权利要求1所述的低耦合电感对，其特征在于，第一电感和第二电感呈轴对称布置。3.根据权利要求1
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2中任一项所述的低耦合电感对，其特征在于，所述集成电路芯片为射频收发前端芯片。4.根据权利要求3所述的低耦合电感对，其特征在于，所述射频收发前端芯片包括高功率非对称开关电路，其中所述低耦合电感对为所述高功率非对称开关电路的一部分，所述高功率非对称开关电路还包括第一信号端、第一半导体开关模块、第二半导体开关模块、电容元件、隔离增强模块、第二信号端以及第三信号端，其中：所述电容元件的第一端、所述低耦合电感对的公共端共接于所述第一信号端，所述电容元件的第二端接地；所述低耦合电感对的第一分支端、所述第一半导体开关模块的第一端共接于所述第二信号端，所述第一半导体开关模块的第二端接地；所述低耦合电感对的第二分支端、所述第二半导体开关模块的第一端共接于所述隔离增强模块的第一端，所述第二半导体开关模块的第二端接地；所述隔离增强模块的第二端与所述第三信号端连接。5.一种布置在集成电路芯片中的电感对，其特征在于，所述电感对包括第一电感和第二电感，所述第一电感和第二电感中的每个均包括具有第一端和第二端的微带线，所述第一电感和所述第二电感的微带线连接在一起形成具有首端和尾端的一合并微带线，其中，所述第一电感的微带线的第一端作为所述合并微带线的首端，所述第二电感的微带线的第二端作为所述合并微带线的尾端，所述第一电感的微带线的第二端和所述第二电感的微带线的第一端连接在一起作为所述电感对的公共端，所述合并微带线在所述集成电路芯片中绕成两个螺旋图案，并且当所述电感对处于工作状态时，形成所述两个螺旋图案的微带线中的电流所导致的感应磁场的方向是相反的。6.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述两个螺旋图案没有交叠，并在平行于所述集成电路芯片的布线层的方向上邻近但相距一定距离。7.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述合并微带线由多层金属材料构成，其中每层金属材料位于所述集成电路芯片的不同布线层中。8.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述合并微带线由单层金属材料构成，其中所述单层金属材料位于所述集成电路芯片的相同或不同布线层中。9.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述两个螺旋图案的螺旋方向相反。10.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述两个螺旋图案中的一个由所述合并微带线从所述首端到所述公共端沿顺时针方向而绕成，所述两个螺旋图案中的另一个由所述合并微带线从所述尾端到所述公共端沿逆时针方向而绕成。
11.根据权利要求9或10所述的电感对，其特征在于，所述两个螺旋图案中的每个螺旋图案的缠绕方式为：从所述首端或所述尾端到所述公共端，将所述合并微带线按照如下方式中的一种进行缠绕：从内到外；从外到内；以上两者的组合。12.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，从所述公共端以及所述首端和尾端向所述两个螺旋图案外引出引线。13.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，激励信号从所述公共端输入，并在公共端处被分流至第一电感和第二电感，其中第一电感和第二电感产生的磁场相反。14.根据权利要求12所述的电感对，其特征在于，在所述引线与所述合并微带线的交叉点处，所述引线通过空气桥跨越所述合并微带线或所述合并微带线通过空气桥跨越所述引线。15.根据权利要求10所述的电感对，其特征在于，在所述合并微带线的一部分与另一部分的交叉点处，所述一部分通过空气桥跨越所述另一部分。16.根据权利要求10所述的电感对，其特征在于，在所述合并微带线的一部分与另一部分的交叉点处，所述一部分与所述另一部分被布置在不相邻的不同布线层中。17.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述公共端到所述首端的微带线长度与所述公共端到所述尾端的微带线长度基本相等。18.根据权利要求5所述的电感对，其特征在于，所述两个螺旋图案是镜像图案。19.一种高功率非对称开关，其特征在于，包括第一信号端、第一半导体开关模块、第二半导体开关模块、如权利要求1
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3中任一项所述的低耦合电感对、电容元件、隔离增强模块、第二信号端以及第三信号端，其中：所述电容元件的第一端、所述低耦合电感对的公共端共接于所述第一信号端，所述电容元件的第二端接地；所述低耦合电感对的第一分支端、所述第一半导体开关模...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘石生，
申请(专利权)人：深圳市晶准通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：