【技术实现步骤摘要】
无直接贯穿缝隙的拼砌式屏蔽砌块
[0001]本申请涉及电离辐射防护与屏蔽
,尤其涉及无直接贯穿缝隙的拼砌式屏蔽砌块。
技术介绍
[0002]目前,具有各类核设施和放射性装置的场所通常在固定的屏蔽结构体或构筑物上留有人孔或门洞,以便人员在维修或其他特定时期进入。而在操作、转运高放射性废物等特定时刻,则采用屏蔽砌块堆垒和铺设来封堵孔洞,从而形成临时屏蔽体,并在核设施工作结束后移动或拆除。举例来说,核电厂中的废液和废树脂系统的储罐等设备所在房间为高放射性区域,该房间的门洞不设置安装屏蔽门,采用混凝土屏蔽块进行封堵。在特定的极少数时间,如需检查和维修时,移除屏蔽块以便工作人员进入,并在工作完成后按照要求再次封堵好。但是,由于具有放射性装置的场所中工作人员受辐射风险较高,所以临时搭建的屏蔽墙或结构体需要将辐射水平控制在可接受的范围。
[0003]为了工程和屏蔽要求,如图1所示,目前采用GB 12163
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1990上规定的形式对屏蔽砌块进行铺设以形成防护体。但是,该防护体只能在辐射射线入射面的一个维度上消 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无直接贯穿缝隙的拼砌式屏蔽砌块,包括至少一个凸出层(1)和至少一个相邻层(2),所述凸出层(1)和所述相邻层(2)沿所述屏蔽砌块的轴向相互连接,其特征在于,多个所述屏蔽砌块的所述凸出层(1)在与其轴向垂直的平面上互相拼砌形成具有相同空缺的连续平面,所述空缺与所述相邻层(2)的轴向投影相同。2.根据权利要求1所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)满足如下关系,R≥r,其中R为所述凸出层(1)的轴向投影的最大内切圆的半径,r为所述相邻层(2)的轴向投影的最小外接圆的半径。3.根据权利要求2所述的屏蔽砌块,其特征在于,1.5r≤R≤2.5r。4.根据权利要求2所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)具有相同的轴线,且相对于所述轴线均为旋转对称结构。5.根据权利要求4所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述屏蔽砌块的所述凸出层(1)和所述相邻层(2)中的至少一者为两层或两层以上,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)间隔设置。6.根据权利要求5所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和/或所述相邻层(2)在轴向上的厚度为所述屏蔽砌块在轴向上厚度的1/(n+2)至1/(n
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2),其中,n为在轴向上所述凸出层(1)和所述相邻层(2)的层数和。7.根据权利要求6所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述屏蔽砌块包括第一屏蔽砌块(3)和第二屏蔽砌块(4),所述第一屏蔽砌块(3)和所述第二屏蔽砌块(4)在轴向上的厚度相同,并且所述第一屏蔽砌块(3)和所述第二屏蔽砌块(4)在与轴向垂直的平面上相互拼砌形成无直接贯穿缝隙的屏蔽体。8.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:田英男,米爱军,毛亚蔚,陈宗欢,王雅霄,杨德锋,王晓霞,王炳衡,高桂玲,邱林,谢思洋,常叶笛,刘耸,尤伟,申静怡,李晓静,刘雪凇,赵秋娟,朱宇琛,
申请(专利权)人:中国核电工程有限公司,
类型:发明
国别省市:
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