铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件技术

本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。进而提高铌酸锂脊波导的良品率。进而提高铌酸锂脊波导的良品率。

【技术实现步骤摘要】
铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件


[0001]本申请实施例涉及光波导芯片制造
，尤其涉及一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件。

技术介绍

[0002]由于铌酸锂晶体具有优异的电光、声光、光弹、非线性、光折变等性能，其在光通讯领域应用非常广泛，是光波导器件中最常使用的晶体材料。目前，对薄膜铌酸锂脊波导的制备方法主要是在薄膜铌酸锂晶圆上依次进行金属薄膜生长、光刻、金属薄膜刻蚀、铌酸锂刻蚀。其中铌酸锂刻蚀主要通过氟基气体(如三氟甲烷、四氟化碳、六氟化硫)与氩气的混合气体在等离子体刻蚀设备上进行铌酸锂干法刻蚀。该技术通过氟基气体在等离子体刻蚀设备中电离的氟离子与未被掩膜保护的铌酸锂材料进行化学反应，生成氟化铌、氟化锂等反应产物，进而去除功能设计中定义的刻开区的铌酸锂材料。铌酸锂刻蚀过程中氟化铌等产物属于易挥发物质，可由等离子体刻蚀设备中的真空泵抽离腔室。而氟化锂物质却不易挥发，并且附着在被进一步刻蚀的铌酸锂表面阻挡反应继续进行。现有技术中通过一定比例的电离的氩气离子以物理轰击的形式，可去除部分附着在刻蚀表面的氟化锂物质，可使前一步主要化学反应继续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂脊波导的制作方法，其特征在于，包括：提供铌酸锂晶圆；在所述铌酸锂晶圆上生长硬掩模；在所述硬掩模上形成刻蚀图形；在所述刻蚀图形进行自对准质子交换，以在所述铌酸锂晶圆上形成交换区；在所述铌酸锂晶圆上对所述交换区进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的铌酸锂脊波导的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩模上形成刻蚀图形的步骤包括：在所述硬掩模上涂覆胶层；对所述胶层进行曝光和显影，以形成图案层。3.根据权利要求2所述的铌酸锂脊波导的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩模上形成刻蚀图形的步骤还包括：以完成曝光和显影的胶层为掩膜对所述硬掩模进行刻蚀，以形成所述刻蚀图形。4.根据权利要求1所述的铌酸锂脊波导的制作方法，其特征在于，所述在所述刻蚀图形进行自对准质子交换，以在所述铌酸锂晶圆上形成交换区的步骤包括：通过质子交换机对铌酸锂晶圆上未被硬掩模保护的区域执行自对准质子交换工艺，置换出锂元素，以在所述铌酸锂晶圆上形成交换区。5.根据权利要求1所述的铌酸锂脊波导的制作方法，其特征在于，所述在所述铌酸锂晶圆上...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟进，周赤，吉贵军，刘昆，陆龙钊，黄杭东，胡志刚，
申请(专利权)人：珠海光库科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：