半导体装置以及车辆制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置以及车辆，能够在确保刚性和耐腐蚀性的同时抑制冷却性能降低。顶板(21)在俯视时呈矩形状，在背面的中央部沿着长度方向设定有配置多个散热片(24f)的冷却区域(21b)，在冷却区域(21b)的两侧分别设定有连通区域(21c、21d)。侧壁(22)在顶板(21)的背面以包含冷却区域(21b)、连通区域(21c、21d)的方式连接为环状。顶板(21)的冷却区域(21b)的厚度(T2)比顶板(21)的比侧壁(22)更靠外侧的外缘区域(21e、21f)的外缘厚度(T1)薄。因此，从顶板(21)的冷却区域(21b)的正面到多个散热片(24f)的距离变短。而且，半导体模块(10)的热容易传导到多个散热片(24f)，提高制冷剂的冷却能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及车辆


[0001]本专利技术涉及半导体装置以及车辆。

技术介绍

[0002]为了保持包括功率半导体元件在内的半导体模块的可靠性，将半导体模块搭载于冷却装置。由此，能够高效且稳定地冷却功率半导体元件。
[0003]冷却装置在顶板内形成有多个散热片。此外，在冷却装置形成有与内部连通的流入口和流出口。以使从流入口流入冷却装置内的制冷剂在冷却装置内部的多个散热片之间流通并从流出口流出的方式，使制冷剂循环。若在冷却装置的顶板的与散热片对应的正面配置半导体模块，则散热片经由顶板从半导体模块传导热。传导到散热片的热经由在冷却装置内循环的制冷剂而散热。其结果是，功率半导体元件被冷却。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
‑
079386号公报
[0006]专利文献2：日本特开2010
‑
212577号公报

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]这样的冷却装置的顶板为了确保刚性以及为了防止由制冷剂的腐蚀引起的液体泄漏而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体模块，其具有半导体芯片和安装有所述半导体芯片的绝缘电路基板；以及冷却装置，其具有在正面配置有所述半导体模块的顶板，在所述顶板的背面设定有供环状的侧壁连接的侧壁连接区域，所述顶板在俯视时呈矩形状，在背面的中央部沿着长度方向设定有配置多个散热片的冷却区域，在所述冷却区域的沿着宽度方向的两侧分别设定有第一连通区域和第二连通区域，所述侧壁连接区域在所述顶板的所述背面以包含所述冷却区域、所述第一连通区域以及所述第二连通区域的方式设定为环状，所述冷却区域的厚度比所述顶板的比所述侧壁连接区域更靠外侧的外缘区域的外缘厚度薄。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述顶板的所述正面形成同一平面，在所述顶板的背面，所述冷却区域比所述外缘区域更向所述正面侧凹陷。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，对于所述顶板的所述第一连通区域和所述第二连通区域各自的厚度，所述外缘区域侧的外缘区域侧部比所述冷却区域侧的冷却区域侧部厚。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连通区域和所述第二连通区域的所述冷却区域侧部的厚度与所述顶板的所述冷却区域的厚度相同，所述第一连通区域和所述第二连通区域的所述外缘区域侧部的厚度与所述顶板的所述外缘区域的厚度相同。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一连通区域和所述第二连通区域，在所述冷却区域与所述外缘区域之间设置有一个以上的台阶部，随着从所述冷却区域向所述外缘区域前进，每当一个所述台阶部，所述第一连通区域和所述第二连通区域的所述顶板的厚度就变厚一次。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述台阶部设置在所述顶板中的所述侧壁连接区域的边缘。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述台阶部分别设置在所述冷却区域与所述第一连通区域之间的边界附近、所述冷却区域与所述第二连通区域之间的边界附近。8.根据权利要求3至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却装置还具有与所述顶板的所述侧壁连接区域连接的所述侧壁、与所述顶板对置且形成于所述侧壁的背面的底板，由所述顶板、所述侧壁、所述底板构成供制冷剂流动的流路部。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，在所述底板的与所述第一连通区域对应的区域形成有供制冷剂向所述流路部流入的流入口，
在所述底板的与所述第二连通区域对应的区域形成有供所述制冷剂从所述流路部流出的流出口。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连通区域的所述外缘区域侧部在侧视时从所述侧壁至少到达与所述流入口的所述外缘区域侧的端部对应的位置，所述第二连通区域的所述外缘区域侧部在侧视时从所述侧壁至少到达与所述流出口的所述外缘区域侧的端部对应的位置。11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连通区域的所述冷却区域侧部在侧视时从所述冷却区域至少到达与所述流入口的靠所述冷却区域侧的端部对应的位置，所述第二连通区域的所述冷却区域侧部在侧视时从所述冷却区域至少到达与所述流出口的靠所述冷却区域侧的端部对应的位置。12.根据权利要求5至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述台阶部在所述第一连通区域和所述第二连通区域以将不同的高度连接的方式形成倾斜。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述台阶部的倾斜角相对于所述顶板的所述第一连通区域和所述第二连通区域的背面是10度以上且45度以下。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述倾斜角进一步是20度以上且30度以下。15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述台阶部与所述不同的高度的连接部位形成R面。16.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体模块配置于所述顶板的所述正面的所述冷却区域。17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却区域的所述宽度方向的宽度比所述绝缘电路基板的所述宽度方向的宽度窄，所述绝缘电路基板在所述顶板的所述正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山贵裕，吉田大辉，日向裕一朗，山田教文，立石义博，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：