一种基于高阻硅IPD工艺的双工器制造技术

本发明专利技术属于射频器件技术领域，尤其是涉及一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，包括：低通滤波器和高通滤波器，所述低通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第一串联支路以及第一并联支路和第二并联支路；所述高通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第二串联支路以及第三并联支路；所述低通滤波器与高通滤波器通过T型头并联构成。本发明专利技术主要用于射频器件小型化和国产化替代，采用小型化和低功耗的集总元件,基于高阻硅衬底的IPD双工器，采用低通加高通的滤波器组合实现。现。现。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高阻硅IPD工艺的双工器


[0001]本专利技术涉及射频器件
，尤其涉及一种基于高阻硅IPD工艺的双工器。

技术介绍

[0002]随着科学技术日新月异的发展，微波双工器在大量的微波
和无线通讯系统中有着广泛的应用。因为用户对数据量的需求不断增加，运营商需要不断提升其数据传输能力。拓宽频谱、增大带宽、采用更高效的编码方式等都是行之有效的方法。
[0003]普通金属波导双工器有低插入损耗、高隔离度、高功率容量、高Q值等优点，但其尺寸很大，制作成本高，调试麻烦，这些缺点限制了金属波导双工器在微波集成电路中的运用，因此，小型化高性能、成本低的双工器在射频
有着广泛的应用场景，为此，我们提出一种基于高阻硅IPD工艺的双工器来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，包括：低通滤波器和高通滤波器，所述低通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第一串联支路以及第一并联支路和第二并联支路；所述高通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第二串联支路以及第三并联支路；所述低通滤波器与高通滤波器通过T型头并联构成。
[0007]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述双工器以高阻硅为衬底，且双工器尺寸厚度为0.1mm。
[0008]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述第一串联支路上设置有第一电感器L1，所述第一并联支路设置于输入端第一电感器L1之间，所述第一并联支路包括与输入端相连的第一电容器C1，所述第一电容器C1的另一端接地。
[0009]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述第二并联支路由第二电感器L2、第二电容器C2和第三电容器C3组成，所述第二电感器L2与第二电容器L3并联，所述第二电感器L2与第二电容器C2并联的一端与第一电感器L1相连，且第二电感器L2与第二电容器C2并联的另一端与第三电容器C3相连，所述第三电容器C3的另一端接地。
[0010]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述第二串联支路包括与输入端相连的第四电容器C4。
[0011]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述第三并联支路由第五电容器C5、第三电感器L3和第六电容器C6组成，所述第三电感器L3和第六电容器C6串联后与第五电容器C5并联连接，且第三电感器L3和第六电容器C6与第五电容器C5并联的一端接地。
[0012]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述低通滤波器的频率为1.71GHz
‑
2.2GHz，插入损耗小于1.46dB，带外频率2.496GHz
‑
2.69GHz，抑制大于11.5dB；所述高通滤
波器频率为2.496GHz
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2.2GHz，插入损耗小于1.51dB，带外频率1.71GHz
‑
2.2GHz，抑制大于11.2dB。
[0013]在上述的基于高阻硅IPD工艺的双工器中，所述低通滤波器和高通滤波器两通道隔离度大于12.46dB，输入输出阻抗为50Ω。
[0014]与现有技术相比，本基于高阻硅IPD工艺的双工器的优点在于：
[0015]1、本专利技术主要用于射频器件小型化和国产化替代，采用小型化和低功耗的集总元件,基于高阻硅衬底的IPD双工器，采用低通加高通的滤波器组合实现；
[0016]2、本专利技术将两支滤波器合并形成的三端口网络器件，是一个比较特殊的双向三端滤波器，该功分器以高阻硅为衬底，实现了低通通道(1.71GHz
‑
2.2GHz)插入损耗小于1.46dB，带外(2.496GHz
‑
2.69GHz)抑制大于11.5dB；高通通道(2.496GHz
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2.2GHz)插入损耗小于1.51dB，带外(1.71GHz
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2.2GHz)抑制大于11.2dB；两通道隔离度大于12.46dB，输入输出阻抗为50Ω。
附图说明
[0017]图1为本专利技术提出的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器的设计原理图；
[0018]图2为本专利技术提出的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器的版图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0020]参照图1
‑
2，一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，包括：低通滤波器和高通滤波器，低通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第一串联支路以及第一并联支路和第二并联支路；高通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第二串联支路以及第三并联支路；低通滤波器与高通滤波器通过T型头并联构成。
[0021]其中，双工器以高阻硅为衬底，且双工器尺寸厚度为0.1mm，低通滤波器的频率为1.71GHz
‑
2.2GHz，插入损耗小于1.46dB，带外频率2.496GHz
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2.69GHz，抑制大于11.5dB；高通滤波器频率为2.496GHz
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2.2GHz，插入损耗小于1.51dB，带外频率1.71GHz
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2.2GHz，抑制大于11.2dB，低通滤波器和高通滤波器两通道隔离度大于12.46dB，输入输出阻抗为50Ω。
[0022]具体的，第一串联支路上设置有第一电感器L1，第一并联支路设置于输入端第一电感器L1之间，第一并联支路包括与输入端相连的第一电容器C1，第一电容器C1的另一端接地。
[0023]进一步的，第二并联支路由第二电感器L2、第二电容器C2和第三电容器C3组成，第二电感器L2与第二电容器L3并联，第二电感器L2与第二电容器C2并联的一端与第一电感器L1相连，且第二电感器L2与第二电容器C2并联的另一端与第三电容器C3相连，第三电容器C3的另一端接地。
[0024]其中，第二串联支路包括与输入端相连的第四电容器C4，第三并联支路由第五电容器C5、第三电感器L3和第六电容器C6组成，第三电感器L3和第六电容器C6串联后与第五电容器C5并联连接，且第三电感器L3和第六电容器C6与第五电容器C5并联的一端接地。
[0025]本专利技术主要用于射频器件小型化和国产化替代，采用小型化和低功耗的集总元
件,基于高阻硅衬底的IPD双工器，采用低通加高通的滤波器组合实现，将两支滤波器合并形成的三端口网络器件，是一个比较特殊的双向三端滤波器。
[0026]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，包括：低通滤波器和高通滤波器，所述低通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第一串联支路以及第一并联支路和第二并联支路；所述高通滤波器包括该滤波器的输入端和输出端之间的第二串联支路以及第三并联支路；所述低通滤波器与高通滤波器通过T型头并联构成。2.根据权利要求1所述的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，所述双工器以高阻硅为衬底，且双工器尺寸厚度为0.1mm。3.根据权利要求2所述的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，所述第一串联支路上设置有第一电感器L1，所述第一并联支路设置于输入端第一电感器L1之间，所述第一并联支路包括与输入端相连的第一电容器C1，所述第一电容器C1的另一端接地。4.根据权利要求3所述的一种基于高阻硅IPD工艺的双工器，其特征在于，所述第二并联支路由第二电感器L2、第二电容器C2和第三电容器C3组成，所述第二电感器L2与第二电容器L3并联，所述第二电感器L2与第二电容器C2并联的一端与第一电感器L1相连，且第二电感器L2与第二电容器C2并联的另一端与第三电容器C3相连，所述第三电容器C3的另一端接地。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：欧敏，李晓梅，曾现祥，
申请(专利权)人：安徽泰祺创景科技有限公司，
类型：发明
国别省市：