一种阈值电压的测量方法和测试设备技术

本申请提供的一种阈值电压的测量方法、测试设备和一种计算机可读介质，测量方法应用于场效应管，包括在每个标定周期内对场效应管进行标定，获取场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试场效应管的反向导通压降得到阈值电压。其中，上述测量方法基于场效应管的反向导通压降推导得到对应的阈值电压，提高了得到的场效应管的阈值电压的准确性，进而可以有效评估场效应管阈值的长期稳定性，此测试方法易于实现，同时节约成本。同时节约成本。同时节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种阈值电压的测量方法和测试设备


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种阈值电压的测量方法和测试设备。

技术介绍

[0002]由于碳化硅材料的特点，目前碳化硅半导体器件还存在可靠性问题，由于碳化硅金属
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氧化物
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半导体型半导体器件的表面和氧化层体内存在陷阱，导致半导体器件的阈值电压不稳定，不利于设备的安全运行，因此，准确测量器件的阈值电压对器件寿命评估具有重要意义。
[0003]传统的阈值电压测量方式是在半导体器件断电后快速测量阈值电压，但由于此时对应的漏极和源极之间的电流很小，且器件在开通时电流波形常常会有震荡，因此很难精确测量阈值电压。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供了一种阈值电压的测量方法和测试设备以解决上述技术问题。
[0005]本申请提供的一种阈值电压的测量方法应用于场效应管，所述测量方法包括：
[0006]在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；/>[0007]在每本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阈值电压的测量方法，其特征在于，应用于场效应管，所述测量方法包括：在每个标定周期内对所述场效应管进行标定，获取所述场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于所述定量对应关系，通过测试所述场效应管的反向导通压降得到所述阈值电压。2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行标定的步骤包括：在每个标定周期内，对所述场效应管依次进行阈值测量、反向压降测量、栅极老化和阈值恢复。3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行阈值测量的步骤包括：将所述场效应管的栅极和漏极短接，且所述场效应管的漏极连接第一电源的正极，所述场效应管的源极连接所述第一电源的负极；间隔第一预设时间段测量所述第一电源的第一电压；其中所述第一电源的电流范围为1mA至50mA，所述第一电源的电压范围为0V至10V；所述第一预设时间段为10微秒至5秒。4.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行反向压降测量的步骤包括：将所述场效应管的漏极连接第二电源的负极，且所述场效应管的源极连接所述第二电源的正极；间隔第二预设时间段测量所述场效应管的反向导通压降；其中所述第二电源的电流为所述场效应管的额定电流，所述第二电源的电压范围为
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5V至0V；所述第二预设时间段的范围为10微秒至100微秒。5.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述对所述场效应管进行栅极老化的步骤包括：将所述场效应管的漏极和源极短接，所述场效应管的栅极接收第一偏置电压；其中所述第一偏置电压为PWM信号，所述PWM信号的正电压范围为20V至30V，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉斌，阮峰，杨威，谢翠根，黄俊添，牛琪辉，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：