一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法技术

本发明专利技术涉及覆铜陶瓷基板剥离测试技术领域，涉及一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法，本发明专利技术包括如下步骤：覆铜陶瓷基板正反面进行铜箔蚀刻以及焊料蚀刻形成基材，基材包括正面铜箔层、基板和反面铜箔层，正面铜箔层与反面铜箔层均包括A面铜箔片和B面铜箔片；B面铜箔片接触的基板面上进行激光切割；将切割好的基材通过裂片工序分割成测试片，测试片包括片A面铜箔片、基板和B面铜箔片，A面铜箔片上设有拉力条；将测试片进行直角弯折，使测试片形成水平部和竖直部；水平部插入剥离测试机的治具内进行限位，夹持器夹持并向上拉动竖直部，使拉力条与基板进行分离，得到剥离强度拉力，省略刮除焊料工序，测试周期缩短，提高剥离测试数据准确性。准确性。准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法


[0001]本专利技术涉及覆铜陶瓷基板剥离测试
，涉及一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法。

技术介绍

[0002]覆铜陶瓷基板是电力电子领域功率模块最为优良的封装材料，因其生产加工工艺的不同主要可分为直接覆铜陶瓷基板(DCB或称DBC)和活性金属钎焊陶瓷基板(AMB)，DCB工艺是指利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，AMB是指钎焊料将陶瓷板和金属铜箔烧结在一起。相较而言，AMB覆铜板具有更高的可靠性和更优异的性能，但价格更高。而对于DBC产品以及AMB产品而言，产品性能是非常重要的，主要有冷热循环测试以及剥离强度测试。
[0003]AMB覆铜板在烧结工艺中使用铜箔、基板与焊料，三者均存在的情况才能够结合，如果没有焊料，铜箔和基板将难以结合；在结合情况下，部分地方铜箔与陶瓷发生键合，现实状态将无法对铜箔和基板进行物理或化学方式分离。剥离测试实验前先对铜箔和基板分离一定距离，因此需要通过刮除焊料来防止结合进而能使铜箔和基板能够分离，然后进行真空烧结，按照设计的菲林进行蚀刻出需要的图形，按照设计好的切割线对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：利用蚀刻液对覆铜陶瓷基板正反面进行铜箔蚀刻处理以及焊料蚀刻处理形成基材，所述基材包括由上至下的正面铜箔层、基板和反面铜箔层，所述正面铜箔层与所述反面铜箔层均包括依次交替连接的A面铜箔片和B面铜箔片；S2：在S1中的与B面铜箔片接触的基板面上进行激光切割，激光切割的凹槽深度为30％；S3：将切割好的基材通过裂片工序分割成若干组测试片，所述测试片包括由上至下依次设置的单片A面铜箔片、基板和单片B面铜箔片，所述A面铜箔片上设有拉力条；S4：将S3中的测试片沿着S2中的凹槽进行直角弯折，使测试片形成水平部和竖直部；S5：将S4中的测试片的水平部插入剥离测试机样台上的治具内的间槽进行限位，剥离测试机的夹持器夹持并向上拉动竖直部，使水平部上的拉力条与基板进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄世东，徐荣军，季玮，衡冬杰，
申请(专利权)人：浙江德汇电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：