二次电池及电子装置制造方法及图纸

本申请提供一种二次电池及电子装置。二次电池包括正极极片。正极极片包括集流体、从集流体凸出的极耳和设置于集流体的至少一个表面绝缘层。绝缘层沿集流体靠近极耳的侧边设置并邻接于活性物质层。其中，绝缘层的厚度和活性物质层的厚度的比值为0.5～0.7,活性物质层的厚度为200～400μm。的厚度为200～400μm。的厚度为200～400μm。

【技术实现步骤摘要】
二次电池及电子装置


[0001]本申请涉及储能装置领域，尤其是涉及一种二次电池及包括二次电池的电子装置。

技术介绍

[0002]电池的极片边缘通常设置有用于防毛刺的绝缘层。活性物质层和绝缘层通常同步涂布在极片的集流体表面。然而，在干燥过程中，活性物质层和绝缘层可能在边界位置产生相互渗透混融，导致最终干燥后的活性物质层和绝缘层的边界位置界线模糊，使活性物质层位置的判断产生偏差，对极片的尺寸产生影响，进而引发电池低容风险。

技术实现思路

[0003]本申请的一个目的在于提供一种二次电池及电子装置，可改善因活性物质层和绝缘层的交界处的交互区而影响极片的尺寸的问题。
[0004]本申请第一方面提供一种二次电池，包括正极极片。正极极片包括集流体、从集流体凸出的极耳和设置于集流体的至少一个表面绝缘层。绝缘层沿集流体靠近极耳的侧边设置并邻接于活性物质层。其中，绝缘层的厚度和活性物质层的厚度的比值为0.5～0.7,活性物质层的厚度为200～400μm。
[0005]本申请提供的二次电池中，将活性物质层的厚度控制在200～400μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二次电池，包括正极极片，其中，所述正极极片包括：集流体；极耳，从所述集流体凸出；活性物质层，设置于所述集流体的至少一个表面；绝缘层，沿所述集流体靠近所述极耳的侧边设置并邻接于所述活性物质层，其中，所述绝缘层的厚度和所述活性物质层的厚度的比值为0.5～0.7,所述活性物质层的厚度为200～400μm。2.如权利要求1所述的二次电池，其中，所述绝缘层的厚度和所述活性物质层的厚度的比值为0.6～0.7。3.如权利要求1所述的二次电池，其中，所述活性物质层的厚度为200～370μm。4.如权利要求1所述的二次电池，其中，所述活性物质层的涂布重量为427～740mg/1540.25mm2。5.如权利要求4所述的二次电池，其中，所述活性物质层的涂布重量为427～640mg/1540.25mm2。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：池金锋，
申请(专利权)人：厦门新能安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：