一种高功率密度的增强型GaN-HEMT制备方法技术

一种高功率密度的增强型GaN

【技术实现步骤摘要】
一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法。

技术介绍

[0002]氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。GaN击穿电场是硅的11倍，禁带宽度是硅的3.1倍，氮化镓异质结电子迁移率是硅的1.4倍，电子饱和漂移速度是硅的2.7倍。因此氮化镓材料具有耐高温、耐高压、高频的特点。与第一代半导体硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。
[0003]氮化镓材料的生长分为体晶材料的生长和晶体薄膜材料的外延生长。体晶材料的生长主要有氨热法、高压生长法和钠融法，三种生长速率都很低，因此目前制备氮化镓材料的主流技术是在其他衬底上以异质外延方式生长GaN薄膜（几微米到几毫米），外延生长技术主要有MOCVD技术(金属有机化合物化学气相沉积)、MBE技术(氢化物气相外延)和HVPE技术(分子束外延)。其中MOCVD以热分解反应方式在衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，选取硅衬底并进行P型掺杂；S200，硅衬底上异质外延生长AlGaN过渡层；S300，在AlGaN过渡层上异质外延生长GaN高阻层；S400，GaN高阻层上异质外延生长AlN凸台；S500，异质外延生长GaN沟道层；S600，异质外延生长AlGaN势垒层；S700，沉积重掺杂的多晶硅；S800，沉积P型GaN帽层；S900，栅极区域制备肖特基金属；S100，生长栅极场板；S110，漏源区域制备欧姆金属。2.根据权利要求1所述的一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法，其特征在于，步骤S100包括：S110，在单晶硅衬底上扩散硼，电阻率达到1Ω*cm，使单晶硅变成P型的硅衬底。3.根据权利要求1所述的一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法，其特征在于，步骤S200包括：S210，采用MOCVD在硅衬底上异质外延生长AlGaN层，并逐渐改变AlN和GaN的组成比例，按生长先后顺序为第一层过渡层材料Al
0.8
Ga
0.2
N、厚度0.8um，第二层过渡层材料Al
0.5
Ga
0.5
N、厚度0.6um，第三层过渡层材料Al
0.2
Ga
0.8
N、厚度0.6um。4.根据权利要求3所述的一种高功率密度的增强型GaN
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HEMT制备方法，其特征在于，步骤S210中，第一层0.8um，ALN含量为80％，GaN含量为20％；第二层0.6um，ALN含量为50％，GaN含量为50％；第三层0.6um，ALN含量为20％，GaN含量为80％。5.根据权利要求1所述的一种高功率密度的增强型GaN
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅信强，代书雨，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：