一种防止AlGaN过刻蚀的GaN-HEMT器件的制备方法技术

一种防止AlGaN过刻蚀的GaN

【技术实现步骤摘要】
一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法。

技术介绍

[0002]在电力电子器件
，以GaN和SiC为代表的第三代半导体越来越被人们重视，其中GaN具有禁带宽度大、临界击穿场强和电子迁移率高等优点，在快充、数据中心、OBC、太阳能逆变器等功率器件市场具有强大的应用潜力。
[0003]目前GaN在功率器件的主要应用形式是GaN HEMT器件，自1993年Khan等人制作出了第一个AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），水平结构的GaN HEMT器件以其优于Si器件的电学性能和更低的能耗受到人们的广泛关注。
[0004]GaN HEMT器件具有优于传统Si器件的性能，在最主流的PGaN增强型GaN HEMT器件制备过程中，P
‑
GaN的刻蚀是最重要的一步工艺，由于实际P
‑
GaN刻蚀过程中，外延片不同区域掺MgP
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在衬底（1）上依次制备AlN间隔层（2）、Al组分渐变缓冲AlGaN层（3）和掺C高阻GaN层（4）；S200，在掺C高阻GaN层（4）上依次制备GaN沟道层（5）、AlN插入层（6）和AlGaN势垒层（7）；S300，在AlGaN势垒层（7）上依次制备AlN阻挡层（8）和掺Mg P
‑
GaN盖帽层（9）；S400，在外延片上对栅极区域外进行掺Mg P
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GaN盖帽层（9）刻蚀并沉积隔离层（10）；S500，对外延片上无源区进行ISO隔离；S600，在外延片上制备D极欧姆接触金属（13）、S极欧姆接触金属（12）；S700，在外延片上制备G电极肖特基接触金属（14）和G极Pad金属；S800，在外延片上制备S极场板（15），G、S、D极Pad金属；S900，在外延片上制备钝化层和G、S、D极Pad开窗。2.根据权利要求1所述的一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法，其特征在于，步骤S100中：所述衬底（1）的平均厚度为1mm
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5mm；所述AlN间隔层（2）的平均厚度为100nm
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1000nm；所述Al组分渐变缓冲AlGaN层（3）的平均厚度为1000nm
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5000nm；所述掺C高阻GaN层（4）的平均厚度为3000nm
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8000nm。3.根据权利要求1所述的一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法，其特征在于，步骤S200中：所述GaN沟道层（5）的平均厚度为100
‑
500nm；所述AlN插入层（6）的平均厚度小于2nm；所述AlGaN势垒层（7）的平均厚度为10
‑
50nm。4.根据权利要求1所述的一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT器件的制备方法，其特征在于，步骤S300中：所述AlN阻挡层（8）的平均厚度小于2nm；所述掺Mg P
‑
GaN盖帽层（9）的平均厚度为20nm
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200nm。5.根据权利要求1所述的一种防止AlGaN过刻蚀的GaN
‑
HEMT...

【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，傅信强，周理明，徐峰，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：