一种写入驱动电路和电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种写入驱动电路，包括背偏生成电路和磁隧道结电路，所述背偏生成电路的第一输入端用于获取写入数据，所述背偏生成电路的第二输入端用于获取读写控制信号，通过对写入数据和读写控制信号进行分析，提供与所述写入数据和读写控制信号相适配的背栅偏压，将所述背栅偏压作为所述磁隧道结电路的控制信号，从而能够根据实际读写情况所需的驱动能力，对写“0”、写“1”和读分别提供不同的背栅偏压，能够有效降低电路功耗。同时避免了传统字线驱动电路电源VCOM切换时间较长的问题，提高MRAM电路读写的速度，并且背栅调节功能应用到字线驱动电路设计中，可以很好的解决MRAM写入操作的超压问题，提高电路的可靠性。提高电路的可靠性。提高电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种写入驱动电路和电子设备


[0001]本专利技术涉及电子电路
，具体涉及一种基于FDSOI工艺磁随机存储器的写入驱动电路和电子设备。

技术介绍

[0002]首先，对本申请中所用到的专业词汇进行解释：
[0003]STT
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MRAM，Spin
‑
Transfer Torque Magnetic RAM，自旋转移矩磁存储器。通过固定层使电流极化，形成自旋电流，将自旋矩传递给自由层的磁矩，使其依据自旋电流的方向而发生转动，实现写入信息“0”或“1”。读取信息的方法与MRAM一样，也是通过检测存储单元的电阻读出其存储的信息。
[0004]MTJ，Magnetic Tunnel Junction，磁性隧道结，是MRAM的基本存储元件，钉扎层和自由层的极性状态决定了MTJ阻值的大小，两者相一致时为低阻态，不一致时为高阻态。
[0005]1T
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1MTJ，是STT
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MRAM选用的一种高密度存储单元，由一个存取晶体管(1T)和1个磁性隧道结(1MTJ)组成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种写入驱动电路，其特征在于，包括：背偏生成电路和磁隧道结电路，所述背偏生成电路的第一输入端用于获取写入数据，所述背偏生成电路的第二输入端用于获取读写控制信号，并生成与所述写入数据与所述读写控制信号相匹配的背栅偏压，将所述背栅偏压作为所述磁隧道结电路的控制信号。2.根据权利要求1所述的写入驱动电路，其特征在于，所述背偏生成电路具体用于：获取所述读写控制信号以及所述写入数据的信号类型，生成与所述读写控制信号以及所述写入数据的信号类型相匹配的背栅偏压。3.根据权利要求1所述的写入驱动电路，其特征在于，所述背偏生成电路具体用于：获取所述读写控制信号以及所述写入数据的信号类型；当所述读写控制信号为0时，所述背栅偏压为0；当所述读写控制信号为1且写入数据为0时，提供第一背栅偏压；当所述读写控制信号为1且写入数据为1时，提供第二背栅偏压。4.根据权利要求1所述的写入驱动电路，其特征在于，所述背偏生成电路包括：逻辑与非门、第一反相器、第二反相器、升压电路、三态门和高压管；所述逻辑与非门的第一端作为所述背偏生成电路的第一端，用于获取写入数据，所述逻辑与非门的第二端作为所述背偏生成电路的第二端，用于获取读写控制信号，所述逻辑与非门的输出端与所述第一反相器的输入端、所述升压电路的输入端以及所述三态门的第三控制端相连；所述升压电路的输出端与所述高压管的控制端相连，所述高压管的输入端与VDDH电源相连，所述高压管的输出端与所述三态门的输出端相连，所述三态门的输出端作为所述背偏生成电路的输出端；所述第一反相器的输出端与所述三态门的第二控制端相连；所述第二反相器的输入端与所述逻辑与非门的第二端相连，所述第二反相器的输出端与所述三态门的第一控制端和第四控制端相连。5.根据权利要求4所述的写入驱动电路，其特征在于，所述高压管为PMOS管。6.根据权利要求4所述的写入驱动电路，其特征在于，所述三态门包括：依次串联的第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；所述第一开关管的输入端与VDDL电源相连；所述第四开关管的输出端接地；所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王治安，赵星，李建忠，朱伟，李彬鸿，罗军，王云，薛静，叶甜春，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：