存储器装置及操作存储器装置的方法制造方法及图纸

公开一种存储器装置及操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器块，包括在垂直于基底的方向上设置的第一邻近字线、被选字线和第二邻近字线；以及地址解码电路。在设置被选字线的第一设置时段中，地址解码电路被配置为：将第一预设置电压施加到第一邻近字线，将高于第一预设置电压的第一设置电压施加到第一邻近字线，将第二预设置电压施加到第二邻近字线，并且将高于第二预设置电压的第二设置电压施加到第二邻近字线。第一预设置电压高于第二预设置电压。第二预设置电压。第二预设置电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及操作存储器装置的方法
[0001]本申请基于并要求于2021年11月18日提交到韩国知识产权局的第10
‑
2021
‑
0159134号韩国专利申请的优先权和2022年5月6日提交到韩国知识产权局的第10
‑
2022
‑
0056275号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本公开的示例实施例涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种单独地对与被选字线(selected word line)邻近的字线施加电压的存储器装置。

技术介绍

[0003]半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置，在易失性存储器装置(诸如，静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))中，存储的数据在电源关闭时消失，在非易失性存储器装置(诸如，闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))中，存储的数据即使在电源关闭时也被保留。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：存储器块，包括在垂直于基底的方向上设置的第一邻近字线、被选字线和第二邻近字线；以及地址解码电路，其中，在设置被选字线的第一设置时段中，地址解码电路被配置为：将第一预设置电压施加到第一邻近字线；将高于第一预设置电压的第一设置电压施加到第一邻近字线；将第二预设置电压施加到第二邻近字线；并且将高于第二预设置电压的第二设置电压施加到第二邻近字线，并且其中，第一预设置电压高于第二预设置电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，施加第二预设置电压的时段的长度长于施加第一预设置电压的时段的长度。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一预设置电压高于连接到第一邻近字线的存储器单元的最高编程状态的读取电压。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，施加第一预设置电压的时段的长度随着所述读取电压降低而增加。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第二预设置电压低于连接到被选字线的存储器单元的第一编程状态的读取电压。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，被选字线的编程操作速度随着施加第二预设置电压的时段的长度增加而增加。7.根据权利要求1至6任一项所述的存储器装置，其中，第二邻近字线比第一邻近字线更接近基底。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在第二设置时段中，地址解码电路还被配置为：将第三预设置电压施加到第一邻近字线；并且将高于第三预设置电压的第三设置电压施加到第一邻近字线；其中，第一预设置电压低于第三预设置电压，其中，第一设置电压低于第三设置电压，其中，第三预设置电压高于连接到第一邻近字线的存储器单元的最高编程状态的读取电压，并且其中，第二设置时段对应于连接到被选字线的存储器单元被编程的循环时段。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在第二设置时段中，地址解码电路还被配置为：将第二预设置电压施加到第二邻近字线；并且将高于第二设置电压的第四设置电压施加到第二邻近字线。10.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括在垂直于基底的方向上设置的第一邻近字线、被选字线和第二邻近字线，所述方法包括：在设置被选字线的第一设置时段中，将第一预设置电压施加到第一邻近字线；在第一设置时段中，将第二预设置电压施加到第二邻近字线；
在第一设置时段中，将高于第一预设置电压的第一设置电压施加到第一邻近字线；以及在第一设...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸大植，金相勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：