一种改善忆阻器性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善忆阻器性能的方法，此方法属于半导体纳米材料及存储器技术领域。基于二次阳极氧化法的忆阻器制备工艺，本专利采用热处理工艺对已制备的忆阻器进行后处理，可极大提高忆阻器的循环次数并增强忆阻器的阻变性能。由于本方法操作简单、设备常见，可进行较大规模实际应用，这将为忆阻器广泛的应用奠定基础。奠定基础。奠定基础。

【技术实现步骤摘要】
一种改善忆阻器性能的方法


[0001]本专利技术属于半导体纳米材料及存储器
，具体涉及一种利用热处理工艺处理忆阻器而使其忆阻性能得到改善的方法。

技术介绍

[0002]自惠普公司宣布成功研制出了固态忆阻器，从而证明了蔡绍棠预测的第四种无源基本电路元件的存在，此后对于忆阻器的探索引发了全球科学家极大的热情。
[0003]忆阻器最为经典的结构为“三明治”形式，即顶电极、中间介质层、底电极。当忆阻器被施加正偏置电压时，顶电极(底电极)就会逐步形成导电丝连接底电极(顶电极)，此时忆阻器件就会由未导通的高电阻(HRS)变成低电阻(LRS)状态。如果此时电压的极性不再改变或者直接撤出电压的作用，导电丝仍然存在且连接着忆阻器的底电极和顶电极，忆阻器依旧会保持着低电阻(LRS)的状态，这就是忆阻器的非易失性。正是由于忆阻器的导电丝的变化决定着忆阻器的阻值变化，因而导电丝的稳定性和唯一性就成为了衡量忆阻器性能好坏的一个重要标准。
[0004]本专利对以电化学金属化效应(ECM)为主要导电机理的忆阻器为例，通过对已制备的忆阻器进行热处理，可极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善忆阻器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：对忆阻器进行热处理，所述热处理的温度为230
‑
450℃，时间为0.5
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4h，所述忆阻器的底电极为纯钛片，中间层介质采用阳极氧化法制得。2.根据权利要求1所述的一种改善忆阻器性能的方法，其特征在于，所述忆阻器的中间介质层为氧化钛纳米管，顶电极为活性电极。3.根据权利要求2所述的一种改善忆阻器性能的方法，其特征在于，所述底电极厚度为0.1
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5mm，中间介质层厚度为0.01
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60μm。4.根据权利要求2所述的一种改善忆阻器性能的方法，其特征在于，所述活性电极包括Ag及以Ag为基的合金、Cu及以Cu为基的合金。5.根据权利要求1
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4任一项所述的一种改善忆阻器性能的方法，其特征在于，所述忆阻器的中间层介质采用阳极氧化法制得前，需对所述忆阻器的底电极进行抛光处理。6.根据权利要求5所述的一种改善忆阻器性能的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远星，赵朝政，姚淑一，朱宗涛，陈辉，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：