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本发明公开了一种改善忆阻器性能的方法，此方法属于半导体纳米材料及存储器技术领域。基于二次阳极氧化法的忆阻器制备工艺，本专利采用热处理工艺对已制备的忆阻器进行后处理，可极大提高忆阻器的循环次数并增强忆阻器的阻变性能。由于本方法操作简单、设备常...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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