一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法技术

本发明专利技术公开了一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，包括步骤：S1、对不良电阻重复加载电压，使开路位置的金属电阻膜发生熔融而产生不同于其他位置电阻膜的形貌特征，对加压后电阻值进行测量，阻值降低后停止加载电压；S2、利用溶剂对电阻开封，以溶解贴片电阻的保护层；S3、对样品进行清洗，使样品表面无溶剂残留，然后将样品取出放置在滤纸上干燥；S4、观察样品上的异常。本发明专利技术通过加电后对电阻进行开封的方法，不仅使开路位置的电阻膜的形貌特征发生变化，而且可以使电阻膜完整无损地被刻蚀出来，从而能够清楚地观察到特征化的电阻膜，对开路位置进行精确定位。对开路位置进行精确定位。对开路位置进行精确定位。

【技术实现步骤摘要】
一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法


[0001]本专利技术涉及元器件失效分析
，特别涉及一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法。

技术介绍

[0002]镍铬金属膜电阻采用的是镍铬合金作电阻材料,用真空蒸发或溅射的方法,在陶瓷或玻璃基本上形成电阻膜层的电阻器.这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得,即在真空中加热合金,合金蒸发,使表面形成一层导电金属膜.刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值.它的耐热性、噪声电势、温度系数、电压系数等电性能都很好。金属膜电阻器的制造工艺比较灵活,不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度,也可通过刻槽调整其阻值,因而可以制成性能良好,阻值范围较宽的电阻器。本专利技术中镍铬电阻膜的厚度只有几纳米到十几纳米，开路位置几乎无法在常规方法中精确找到。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种贴片电阻开路位置的定位方法，以精确定位电阻的开路位置。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，所述方法包括以下步骤：
[0006]S1、对不良电阻重复加载电压，使开路位置的金属电阻膜发生熔融而产生不同于其他位置电阻膜的形貌特征，对加压后电阻值进行测量，阻值降低后停止加载电压；
[0007]S2、利用溶剂对电阻开封，以溶解贴片电阻的保护层；
[0008]S3、对样品进行清洗，使样品表面无溶剂残留，然后将样品取出放置在滤纸上干燥；
[0009]S4、观察样品上的异常。
[0010]进一步地，利用探针台将半导体参数分析仪连接在电阻两端，对失效电阻加载电压，电压大小为20
‑
70V，时间为2
‑
25S，加载次数为2
‑
10次。
[0011]进一步地，还可采用电源与可接触电阻两端电极的探针组合的方式，对失效电阻加载电压。
[0012]进一步地，利用浓硫酸在150℃
‑
300℃下对电阻加热1
‑
10min。
[0013]进一步地，倒出溶剂，向烧杯中多次加水对样品进行淘米式清洗。
[0014]进一步地，倒出烧杯中大部分水后，利用一次性滴管吸取样品放置在滤纸上干燥。
[0015]进一步地，倒出烧杯中大部分水后，利用镊子夹取样品放置在滤纸上干燥。
[0016]进一步地，步骤S3后，需确认样品表面干净后，将样品放入含有清洗溶剂的烧杯中超声清洗。
[0017]进一步地，所述清洗溶剂选自醇中的一种，优选为无水乙醇；所述超声清洗的时间为10
‑
90S。
[0018]进一步地，超声清洗后利用一次性滴管或镊子将样品转移至滤纸上干燥。
[0019]进一步地，利用金相偏光显微镜检测样品上的异常；
[0020]或利用电子显微镜观察样品上的异常；
[0021]或利用金相偏光显微镜与电子显微镜结合确定样品上的异常。
[0022]进一步地，步骤S4后，利用探针台及万用表测量异常位置两端的电阻。
[0023]相对于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：
[0024]本专利技术实施例提供了一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，能够在不伤害电阻膜的情况下将贴片电阻中的电阻膜干净完整地刻蚀出来，而且能够将位于电阻膜上的开路位置特征化后进行精准定位，解决贴片电阻无法定位开路位置的问题。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施步骤的流程图；
[0026]图2为本专利技术样品开封前的示意图；
[0027]图3为样品加电压后开封的示意图；
具体实施方式
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0029]现有的技术主要是利用光学显微镜的方式表面观察有无机械裂纹及热损伤的痕迹，再通过N,N
‑
二甲基甲酰胺将表面树脂层溶掉观察内部形貌的方法进行缺陷的定位。这种常规的方法存在以下的问题：
①
用N,N
‑
二甲基甲酰胺去掉表面树脂保护层后，有可能电阻膜表面仍有一层玻璃釉，无法去除，不能直接观察及分析电阻膜层；
②
在直接能观察到电阻层的情况，由于真空蒸发工艺的电阻膜层非常薄，导致开路位置或缺陷位置几乎无明显的特征，在光学显微镜及电子显微镜下很难找到开路位置。
[0030]针对以上现有技术存在的缺陷，本专利技术实施例提供了一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，如图1所示，该方法实施步骤如下：
[0031]步骤1、对不良电阻加电压。
[0032]首先对未开封电路的电阻进行测量，确认此电阻为开路电阻，然后利用探针台将半导体参数分析仪连接在不良电阻两端，对不良电阻加电压，对不良电阻进行多次加压可以使开路位置的电阻膜的形貌特征发生变化，与正常位置电阻产生明显区别。实际的电压加载次数的依据为：对每次加电压后的的电阻值进行测量，当电阻阻值降低后便停止加电压。电阻阻值降低后开路位置的形貌已经特征化，有利于后期观察。
[0033]在本实施例中，电压的加载方式为利用探针台连接半导体参数分析仪及不良电阻，在其他实施例中，还可利用电源与可接触电阻两端电极的探针组合的方式，对失效电阻加载电压，即能够实现对电阻施加电压的功能即可。
[0034]步骤2、对电阻开封。
[0035]加电压后需要对电阻进行开封，在本实施例中，开封溶剂为浓硫酸，开封时向装有电阻的烧杯中倒入浓硫酸，使电阻浸泡在浓硫酸中，对烧杯进行加热，浓硫酸作为开封溶剂可以将电阻的保护层溶解，完成对电阻的开封。
[0036]步骤3、清洗。
[0037]待电阻表面保护层完全溶解后，将烧杯中的浓硫酸倒出，将样品留于烧杯中然后向烧杯中加水对样品进行清洗，清洗后将水倒出，继续向烧杯中加水对样品进行清洗，即对样品进行淘米式清洗，保证样品表面无浓硫酸残留，以便进行下一步操作。
[0038]将最后一次淘米式清洗的水倒出一大部分，仅剩样品及位于烧杯底的少部分水，此处的水要尽可能少；然后拿出透明的一次性滴管，挤压滴管未开口的一端，使开口的一端的底部靠近样品，然后松开滴管未开口的一端，使开口端利用负压将样品连同小部分水吸取到滴管上，在实际操作中需注意，水和样品须被吸附在滴管开口端的底部位置，且样品仍被水包裹，不可大力吸取或将样品粘在滴管壁上。
[0039]在本实施例中，取出样品的工具选择的是透明的一次性滴管，在其他实施例中，取出工具可选择镊子。
[0040]样品取出后转移至滤纸上进行干燥，样品干燥并确认其表面干净后将样品放入含有清洗溶剂的烧杯中，在本实施例中，清洗溶剂为无水乙醇，在其他实施例中，清洗溶剂可以为醇中的其他种类。样品放入含有无水乙醇的烧杯中后，对样品进行超声清洗，进一步清洗样品表面的残渣。清洗完成后将大部分无水乙醇倒出，利用与淘米式清洗后相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，其特征在于，包括步骤：S1、对不良电阻重复加载电压，使开路位置的金属电阻膜发生熔融而产生不同于其他位置电阻膜的形貌特征，对加压后电阻值进行测量，阻值降低后停止加载电压；S2、利用溶剂对电阻开封，以溶解贴片电阻的保护层；S3、对样品进行清洗，使样品表面无溶剂残留，然后将样品取出放置在滤纸上干燥；S4、观察样品上的异常。2.根据权利要求1所述的一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，其特征在于，所述对不良电阻重复加载电压，包括：利用探针台将半导体参数分析仪连接在电阻两端，对失效电阻加载电压，电压大小为20
‑
70V，时间为2
‑
25S，加载次数为2
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10次。3.根据权利要求1所述的一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，其特征在于，所述对不良电阻重复加载电压，还包括：采用电源与可接触电阻两端电极的探针组合的方式，对失效电阻加载电压。4.根据权利要求1所述的一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，其特征在于，所述利用溶剂对电阻开封，包括：利用浓硫酸在150℃
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300℃下对电阻加热1
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10min。5.根据权利要求1所述的一种金属膜贴片电阻开路位置的定位方法，其特征在于，所述对样品进行清洗，包括：倒出溶剂，向烧杯中多次加水对样品进行淘...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏文文，赵俊亮，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：