一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池技术

本发明专利技术涉及光伏和半导体器件制造技术领域，具体提供了一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池。该种双层电子传输层，包括二氧化锡层和式(I)所示结构的羧酸亚锡层；其中，R为正辛基或者异辛基。式(I)所示结构的羧酸亚锡可以形成n型半导体，对SnO2进行修饰后可以改善电子传输层的能级排列，实现更快地电子抽取，从而减少电子在界面处的复合，提升器件性能，并且减轻迟滞现象。并且减轻迟滞现象。并且减轻迟滞现象。

【技术实现步骤摘要】
一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池


[0001]本专利技术涉及光伏和半导体器件制造
，具体涉及一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池。

技术介绍

[0002]目前，钙钛矿太阳电池器件构型多种多样，从钙钛矿太阳电池工作原理和基本结构上可知，电子传输层(ETL)是钙钛矿太阳电池中最关键的功能层之一，在提高器件效率和稳定性方面至关重要。在N
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I
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P型钙钛矿太阳电池中，电子传输层位于透明导电玻璃与钙钛矿吸光层之间，首要的光学要求就是具备优异的可见光透过率。吸光层材料的光吸收截止波长一般位于800～900nm，且对可见光范围内短波长的光有更强的吸收。因此从光学特性来说，为了提高效率，电子传输层材料需要在可见光区有较强的透过性，且在可见光区短波长范围内有更高透过性，以便更多的光子透过电子传输层被钙钛矿层吸收，从而产生更多的光生载流子来提升器件性能。此外，对电子传输层的形貌和粗糙度进行适当的改变可产生光增透效果，增强进光强度，提高吸光层的光吸收，提高器件短路电流密度，器件性能随之升高。电子传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双层电子传输层，其特征在于，包括二氧化锡层和式(I)所示结构的羧酸亚锡层；其中，R为正辛基或者异辛基。2.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述羧酸亚锡层为异辛酸亚锡层。3.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述二氧化锡层与羧酸亚锡层的厚度之比为1:1
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1.2:1。4.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述二氧化锡层的厚度为12
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28nm，优选为14
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18nm。5.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述羧酸亚锡层的厚度为10
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30nm，优选为15
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18nm。6.一种权利要求1
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5中任一所述的双层电子传输层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用反应等离子体沉积法制备二氧化锡层，采用旋涂法在二氧化锡层上制备所述的羧酸亚锡层。7.根据权利要求6所述的双层电子传输层的制备方法，其特征在于，在所述反应等离子体沉积过程中，靶材采用二氧化锡颗粒，生长前腔室气压抽至7
×
10
‑4～6
×
10
‑4Pa，电子枪和腔室分别通入75～85sccm和28～32sccm的氩气作为辉光气体，沉积过程中腔室气压维持在0.5～0.6Pa，沉积时间控制为40s～90s，氧气通量控制为8sccm～10scc...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨静，刘冬雪，张晓丹，孙天歌，董一昕，贡永帅，张佳莉，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：