一种巨量转移系统及巨量转移方法技术方案

本发明专利技术公开了一种巨量转移系统及巨量转移方法，其中，巨量转移系统用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，该巨量转移系统包括转移装置和校准装置；转移装置用于吸附多个微型发光二极管，并将微型发光二极管转移至校准装置；校准装置包括多个校准点位，一个校准点位用于吸附一个微型发光二极管并对微型发光二极管进行位置校准；校准装置还用于通过电控方式将微型发光二极管转移至阵列基板上。本发明专利技术实施例的技术方案可以在在转移微型发光二极管的过程中兼顾转移速率和转移良率。管的过程中兼顾转移速率和转移良率。管的过程中兼顾转移速率和转移良率。

【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移系统及巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种巨量转移系统及巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro
‑
LED)具备自发光的特性，相比于有机发光二极管(Organic light Emitting Diode，OLED)和液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，Micro
‑
LED显示器的色彩调试更容易、更准确，具有更长的发光寿命、更高的亮度和更高的解析度，并且更轻薄、更省电，在显示
极具发展潜力。
[0003]现有技术大多采用巨量转移的方式将微型发光二极管转移至制作有像素驱动电路的阵列基板上，形成微型发光二极管显示面板。常用的巨量转移方式包括印章转移和激光转移，但是无论是印章转移和激光转移均无法兼顾转移速率和转移良率。具体的，印章转移采用接触式转移方式(微型发光二极管与阵列基板接触)，因而转移良率较高，但受限于印章尺寸较小等原因，转移速率较低；激光转移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移系统，用于将微型发光二极管转移至阵列基板上，其特征在于，所述巨量转移系统包括转移装置和校准装置；所述转移装置用于吸附多个所述微型发光二极管，并将所述微型发光二极管转移至所述校准装置；所述校准装置包括多个校准点位，一个所述校准点位用于吸附一个所述微型发光二极管并对所述微型发光二极管进行位置校准；所述校准装置还用于通过电控方式将所述微型发光二极管转移至所述阵列基板上。2.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述校准装置还包括基底和位于所述基底上的压电致动模块，每个所述校准点位包括至少一个吸附电极，所述吸附电极位于所述压电致动模块远离所述基底的一侧；所述位置校准的过程包括至少一个校准周期，一个所述校准周期包括依次进行的第一阶段和第二阶段；在所述第一阶段，所述校准装置用于通过所述压电致动模块控制所述微型发光二极管与所述校准装置的第一表面之间产生第一间隙；在所述第二阶段，所述校准装置用于通过所述吸附电极对所述微型发光二极管提供静电吸引力，以控制所述微型发光二极管回落至所述第一表面上；所述第一表面位于所述吸附电极远离所述基底的一侧。3.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述第一阶段包括依次进行的第一过程和第二过程；在所述第一过程，所述校准装置用于控制所述压电致动模块在第一时长内沿第一方向由初始状态膨胀至第一状态；所述第一方向垂直于所述基底所在平面；在所述第二过程，所述校准装置用于控制所述压电致动模块在第二时长内沿所述第一方向由所述第一状态收缩至所述初始状态，以在所述微型发光二极管与所述第一表面之间形成所述第一间隙；所述第一时长至少为所述第二时长的10倍。4.根据权利要求3所述的巨量转移系统，其特征在于，所述第一时长为10μs～100μs，所述第二时长小于1μs。5.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述压电致动模块包括多个压电致动单元，相邻两个所述压电致动单元之间具有第二间隙。6.根据权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述转移装置在所述基底上的正投影尺寸小于或等于所述压电致动单元在所述基底上的正投影尺寸。7.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述压电致动模块包括底电极层、顶电极层以及位于所述底电极层和所述顶电极层之间的压电材料层，所述顶电极层位于所述底电极层远离所述基底的一侧；所述压电材料层包括多个压电单元，相邻两个压电单元之间具有绝缘挡墙。8.根据权利要求2所述的巨量转移系统，其特征在于，所述至少一个吸附电极包括至少一个第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极和所述第二电极的数量相等，且所述第一电极和所述第二电极上施加的电压的极性相反。9.根据权利要求8所述的巨量转移系统，其特征在于，所述至少一个吸附电极包括至少两个所述第一电极和至少两个所述第二电极；沿第二方向，所述第一电极和所述第二电极交替排列；和/或，沿第三方向，所述第一电
极和所述第二电极交替排列；所述第二方向和所述第三方向相交且均平行于所述基底所在平面。10.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述微型发光二极管在所述校准装置上的正投影区域的面积大于所述校准点位所在区域的面积。11.根据权利要求1所述的巨量转移系统，其特征在于，所述阵列基板包括与多个子像素一一对应设置的多个接收单元；单位面积内的所述校准点位的数量大于或等于单位面积内的所述接收单元的数量。12.根据权利要求11所述的巨量转移系统，其特征在于，一个所述接收单元包括一个接收点位，用于接收一个所述微型发光二极管；单位面积内的所述校准点位的数量为单位面积内的所述接收点位的数量的N倍...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈培炫，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：