本发明专利技术提供一种发光二极管，包括外延结构、导通孔、第一绝缘层、连接电极、第二绝缘层和焊盘，外延结构包括依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一绝缘层包括覆盖第二半导体层的第一绝缘部和第二绝缘部，第一绝缘部还延伸至导通孔的底部，第二绝缘部与第一绝缘部之间通过环形第二开口间隔开；第一连接电极通过第一开口电连接第一半导体层；第二连接电极通过第二开口电连接第二半导体层；第二绝缘层位于第一连接电极与第二连接电极上，并具有第三开口与第四开口；第一焊盘通过第三开口电连接第一连接电极；第二焊盘通过第四开口电连接第二连接电极。借此，可以使得两个焊盘的高度一致，得到高高度一致性的发光二极管。极管。极管。
【技术实现步骤摘要】
发光二极管及发光装置
[0001]本专利技术涉及发光二极管制造
，特别涉及一种具有高高度一致性的发光二极管及发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装LED芯片结构是将二极管结构倒置，从蓝宝石一侧射出光线，而电极一侧可固定在散热更好的基板上。
[0003]目前的倒装LED芯片结构分为在芯片的外延结构一侧几乎整面地设置金属反射层或者绝缘反射层以使倒装芯片主要从衬底的上表面以及侧壁出光，其中金属反射层相较于绝缘反射层的电流扩展和散热效果更好，主要是运用于一些大尺寸大电流驱动的发光LED芯片上。设置金属反射层类型的倒装LED芯片的外延结构局部设置有导通孔（例如从P型层延伸至N型层），外延结构一侧的金属层和绝缘保护层的层数多且厚，导致外延结构一侧覆盖在焊盘电极导通孔上的表面高度一致性低，高低差异明显，高低差差异可以达到4微米以上。并且，不同电极性的金属层在纵向方向上存在部分区域的重叠。由此衍伸出一些问题，例如：在客户端固晶后，高度差异明显的焊盘电极区域空洞率高，进而导致推力降低和散热能力减弱，并且固晶过程中或者固晶后，在外力作用于芯片上，绝缘层因为脆性而容易破裂导致上下不同电极性的金属层之间连通而出现局部短路的现象。因此，如何改进LED芯片结构的两个焊盘的表面平坦、厚度一致性，以及避免因为绝缘层破裂而导致上下不同电极性的金属层相互连通，已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。
[0004]另外一方面，由于金属反射层的金属活泼性，在芯片内部大面积设置金属反射层的情况下，由于水汽侵蚀会导致金属反射层的性能失效，尤其是大电流驱动的情况下，失效的速率会加快，因此由内至外的对金属反射层的保护至关重要。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种发光二极管，其包括外延结构、导通孔、第一绝缘层、第一连接电极、第二连接电极、第二绝缘层、第一焊盘以及第二焊盘。
[0006]外延结构包括由下至上堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层。导通孔是从第二半导体层的局部上表面向下穿过发光层到第一半导体层。
[0007]第一绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部。第一绝缘部位于部分第二半导体层上并延伸至导通孔的底部，第一绝缘部在导通孔的底部形成第一开口；第二绝缘部仅位于部分第二半导体层上，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一绝缘部围绕于第二绝缘部，并且第一绝缘部与第二绝缘部之间通过环形第二开口间隔开。
[0008]第一连接电极位于第一绝缘部上，并通过第一开口而电连接第一半导体层。第二连接电极包覆第二绝缘部的上表面以及第二绝缘部的侧壁，并通过第二开口而电连接第二
半导体层。
[0009]第二绝缘层位于第一连接电极和第二连接电极上，并且具有第三开口和第四开口。第一焊盘通过第三开口而电连接第一连接电极。第二焊盘通过第四开口而电连接第二连接电极。
[0010]在一实施例中，所述第一焊盘与所述第二焊盘的边缘均位于所述第二绝缘层的上表面，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一焊盘的边缘与所述第三开口的边缘之间具有一第三距离，所述第三距离介于5微米~20微米，所述第二焊盘的边缘与所述第四开口的边缘之间具有一第四距离，所述第四距离介于5微米~20微米。
[0011]在一实施例中，所述第一焊盘的水平投影面积占所述第三开口的水平投影面积的比例大于100%小于等于110%；所述第二焊盘的水平投影面积占所述第四开口的水平投影面积的比例大于100%小于等于110%。
[0012]在一实施例中，所述第二绝缘部的水平投影面积大于等于所述第二连接电极的水平投影面积的50%，且小于所述第二连接电极的水平投影面积的100%。
[0013]在一实施例中，所述第二绝缘部的水平投影面积介于所述第一绝缘部的水平投影面积的30%~70%。
[0014]在一实施例中，所述第二焊盘的水平投影面积占所述第二连接电极的水平投影面积的比例大于等于90%且小于等于100%。
[0015]在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间具有一第一距离，所述第一距离介于5微米~20微米。
[0016]在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第二连接电极的边缘与所述第二焊盘的边缘之间具有一第二距离，所述第二距离介于15微米~50微米。
[0017]在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一连接电极与所述第二连接电极之间具有一第三距离，所述第三距离为10微米~30微米。
[0018]在一实施例中，所述第一绝缘部的厚度为0.8微米~1.5微米。
[0019]在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述导通孔位于所述第一焊盘与所述第二焊盘的外侧。
[0020]在一实施例中，所述发光二极管还包括反射层与阻挡层，所述反射层设置在所述第二半导体层上，所述阻挡层包覆所述反射层，所述第一绝缘部与所述第二绝缘部覆盖部分所述阻挡层，所述第二开口露出部分所述阻挡层，所述第二连接电极通过所述第二开口而电连接所述阻挡层。
[0021]在一实施例中，所述反射层的水平投影面积占所述第二半导体层的水平投影面积的比例至少为80%。
[0022]在一实施例中，所述发光二极管还包括透明导电层，位于所述第二半导体层与所述反射层之间。
[0023]在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第二绝缘部具有多个凸出部，各所述凸出部是朝向所述第一焊盘凸出延伸，相邻二个所述凸出部之间设置有至少一个所述导通孔。
[0024]在一实施例中，所述第二绝缘部与所述第二连接电极的形状相同。
[0025]在一实施例中，所述第一连接电极还包括靠近所述发光二极管边缘的延展电极。
[0026]在一实施例中，所述第二连接电极是完全包覆所述第二绝缘部。
[0027]本专利技术还提供一种发光装置，其采用如上任意所述的发光二极管。进一步的，发光装置可以是用于车辆或背光或普通照明上的发光装置。
[0028]本专利技术的一个优势在于提供一种发光二极管，其通过第一绝缘部和第二绝缘部的设置，使得第一连接电极与第二连接电极的上表面等高，得到高度一致性相对高的发光二极管，同时将第一焊盘和第二焊盘的局部边缘形成在第二绝缘层上，第一焊盘和第二焊盘将第二绝缘层的开口完全包覆住，进而保证第一焊盘与第二焊盘的上表面的大部分面积的高度位置尽量相同的同时，避免水汽侵入，降低内部的金属层（例如第一连接电极或者第二连接电极的金属铝或者更下面的大面积的金属反射层如铝或者银）被侵蚀或者短路现象发生的风险，提高可靠性。
[0029]本专利技术的另一个优势在于提供一种发光二极管，其通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构，包括由下至上堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；导通孔，从所述第二半导体层的局部上表面向下延伸穿过所述发光层到所述第一半导体层；第一绝缘层，覆盖在外延结构的上方以及外延结构的侧壁周围；第一连接电极和第二连接电极，位于第一绝缘层上，分别电连接所述第一半导体层和第二半导体层；第二绝缘层，位于所述第一连接电极和所述第二连接电极上，并且具有第三开口和第四开口；第一焊盘，位于第二绝缘层上，通过所述第三开口而接触所述第一连接电极；第二焊盘，位于第二绝缘层上，通过所述第四开口而接触所述第二连接电极；所述的第一焊盘和第二焊盘也同时位于第一绝缘层上。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘的边缘与所述第二焊盘的边缘均位于所述第二绝缘层的上表面，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一焊盘的边缘与所述第三开口的边缘之间具有一第四距离，所述第四距离介于5～20微米，所述第二焊盘的边缘与所述第四开口的边缘之间具有一第五距离，所述第五距离介于5～20微米。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘的水平投影面积占所述第四开口的水平投影面积的比例大于100％小于等于110％；所述第一焊盘的水平投影面积占所述第三开口的水平投影面积的比例大于100％小于等于110％。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层的厚度为0.8微米～1.5微米。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述的第一连接电极延伸至所述的导通孔的底部连接所述的第一半导体层，所述第二连接电极和第二焊盘都避开所述的导通孔。6.根据权利要求1所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，李燕，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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