一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，包括以下步骤：步骤一：硅片的制备；步骤二：确定硅片的方向；步骤三：对硅片进行研磨；步骤四：硅片的化学抛光处理；步骤五：硅片的能量测试操作；步骤六：硅片的切割操作；步骤七：硅片的扩膜分离操作。本发明专利技术的有益效果是，本技术方案的激光器用镀膜硅陪条的制造方法，简化了现有硅陪条的加工工艺，提高了硅陪条的生产效率，同时保证了硅陪条的生产质量，运用此硅陪条制造方法生产出的硅陪条，具有使用寿命长，无污染的特点，此外，此硅陪条的制造方法，也有效降低了生产成本。也有效降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法


[0001]本专利技术涉及硅陪条生产
，特别是一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体激光器由于体积小、重量轻、波长范围宽等优点，在工业、军事、医学等领域得到了广泛的应用，稳定性和可靠性是使用激光器的前提条件，在半导体激光器的腔面处，光功率密度较高，缺陷密度较大，位错等缺陷将产生表面光吸收和非辐射复合，光吸收和非辐射复合会随着温度的升高而加剧，形成一个正反馈过程，从而导致光学灾变的发生，在大功率激光器上显得尤为突出。
[0003]为了保护激光器的腔面，在激光器腔面处需要安装硅陪条，从而防止激光器的腔面钝化，现有的硅陪条的加工工艺复杂，且生产出的硅陪条的使用寿命低，从而导致激光器腔面在使用过程中造成损坏，为此，需要设计一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决上述问题，设计了一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法。
[0005]实现上述目的本专利技术的技术方案为，一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，包括以下步骤：
[0006]步骤一：硅片的制备；
[0007]步骤二：确定硅片的方向；
[0008]步骤三：对硅片进行研磨；
[0009]步骤四：硅片的化学抛光处理；
[0010]步骤五：硅片的能量测试操作；
[0011]步骤六：硅片的切割操作；
[0012]步骤七：硅片的扩膜分离操作。
[0013]所述步骤一中，硅片的制备原料成分如下：树脂28
‑
34份、硅橡胶65
‑
70份、阻燃剂1
‑
2份、正硅酸甲酯预聚物、苯基三乙氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷和钛酸酯络合物。
[0014]所述步骤二中，选择硅片的晶相，不同晶相的解理面不同，便于解理选择晶相为<1
‑0‑
0>的直拉法单晶硅片，掺杂浓度为轻掺。
[0015]所述步骤三中，将硅片放置在蓝膜上，采用机械研磨的方式将硅片减薄至110
‑
120um左右。
[0016]所述步骤四中，将机械研磨后的硅片用抛光蜡粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在70～90ml/min之间并开始加压抛光，在2～4分钟之间将压力控制在0.15～0.18KG/cm 2，在6～9分钟之间将压力控制在0.45KG/cm 2，在12～18分钟之间将压力控制在0.9KG/cm 2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光蜡重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，反复多次抛光即可。
[0017]所述步骤五中，采用dummy片测试能量。
[0018]所述步骤六中，调整激光隐形切割机激光能量，聚焦于CMP工艺处理硅片的中间部位，实施切割。
[0019]所述步骤七中，使用扩膜机对切割后的硅片进行扩膜，扩模后，硅陪条分离呈单独的陪条。
[0020]其有益效果在于，本技术方案的激光器用镀膜硅陪条的制造方法，简化了现有硅陪条的加工工艺，提高了硅陪条的生产效率，同时保证了硅陪条的生产质量，运用此硅陪条制造方法生产出的硅陪条，具有使用寿命长，无污染的特点，此外，此硅陪条的制造方法，也有效降低了生产成本。
具体实施方式
[0021]首先说明本专利技术的设计初衷，为了保护激光器的腔面，在激光器腔面处需要安装硅陪条，从而防止激光器的腔面钝化，现有的硅陪条的加工工艺复杂，且生产出的硅陪条的使用寿命低，从而导致激光器腔面在使用过程中造成损坏，因此，本专利技术设计了一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法。
[0022]下面将对本专利技术进行具体描述，一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，包括以下步骤：
[0023]步骤一：硅片的制备；在所述步骤一中，硅片的制备原料成分如下：树脂28
‑
34份、硅橡胶65
‑
70份、阻燃剂1
‑
2份、正硅酸甲酯预聚物、苯基三乙氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷和钛酸酯络合物。
[0024]步骤二：确定硅片的方向；在所述步骤二中，选择硅片的晶相，不同晶相的解理面不同，便于解理选择晶相为<1
‑0‑
0>的直拉法单晶硅片，掺杂浓度为轻掺。
[0025]步骤三：对硅片进行研磨；在所述步骤三中，将硅片放置在蓝膜上，采用机械研磨的方式将硅片减薄至110
‑
120um左右。
[0026]步骤四：硅片的化学抛光处理；在所述步骤四中，将机械研磨后的硅片用抛光蜡粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在70～90ml/min之间并开始加压抛光，在2～4分钟之间将压力控制在0.15～0.18KG/cm 2
，在6～9分钟之间将压力控制在0.45KG/cm 2
，在12～18分钟之间将压力控制在0.9KG/cm 2
，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光蜡重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，反复多次抛光即可。
[0027]步骤五：硅片的能量测试操作；在所述步骤五中，采用dummy片测试能量。
[0028]步骤六：硅片的切割操作；在所述步骤六中，调整激光隐形切割机激光能量，聚焦于CMP工艺处理硅片的中间部位，实施切割。
[0029]步骤七：硅片的扩膜分离操作，在所述步骤七中，使用扩膜机对切割后的硅片进行扩膜，扩模后，硅陪条分离呈单独的陪条。
[0030]本技术方案的激光器用镀膜硅陪条的制造方法，简化了现有硅陪条的加工工艺，提高了硅陪条的生产效率，同时保证了硅陪条的生产质量，运用此硅陪条制造方法生产出的硅陪条，具有使用寿命长，无污染的特点，此外，此硅陪条的制造方法，也有效降低了生产成本。
[0031]上述技术方案仅体现了本专利技术技术方案的优选技术方案，本
的技术人员对其中某些部分所可能做出的一些变动均体现了本专利技术的原理，属于本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：硅片的制备；步骤二：确定硅片的方向；步骤三：对硅片进行研磨；步骤四：硅片的化学抛光处理；步骤五：硅片的能量测试操作；步骤六：硅片的切割操作；步骤七：硅片的扩膜分离操作。2.根据权利要求1所述的一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，其特征在于，所述步骤一中，硅片的制备原料成分如下：树脂28
‑
34份、硅橡胶65
‑
70份、阻燃剂1
‑
2份、正硅酸甲酯预聚物、苯基三乙氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷和钛酸酯络合物。3.根据权利要求1所述的一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，其特征在于，所述步骤二中，选择硅片的晶相，不同晶相的解理面不同，便于解理选择晶相为<1
‑0‑
0>的直拉法单晶硅片，掺杂浓度为轻掺。4.根据权利要求1所述的一种激光器用镀膜硅陪条的制造方法，其特征在于，所述步骤三中，将硅片放置在蓝膜上，采用机械研磨的方式将硅片减薄至110
‑
120um...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小波，王波，张克芹，王赞玉，蒲国冰，柏文玲，
申请(专利权)人：无锡科瑞泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：