负极和包括其的锂二次电池制造技术

技术编号:37784852 阅读:26 留言:0更新日期:2023-06-09 09:15
公开了一种负极和包括其的锂二次电池。所述负极包括:集电器;和负极活性材料层,所述负极活性材料层设置在所述集电器的至少一个表面上,并且包括:1)负极活性材料,所述负极活性材料包括含Mg的硅氧化物、围绕所述含Mg的硅氧化物的表面的碳涂层、和围绕所述碳涂层的表面的石墨烯涂层,2)包括单壁碳纳米管(SWCNT)的导电材料,和3)粘合剂,其中所述石墨烯涂层中包含的石墨烯具有0.8至1.5的D/G带强度比,并且所述石墨烯的D/G带强度比被定义为如通过石墨烯的拉曼光谱所测定的、1360

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】负极和包括其的锂二次电池


[0001]本公开内容涉及一种具有改善的寿命特性的负极和包括其的锂二次电池。
[0002]本申请要求于2020年9月21日在韩国递交的韩国专利申请第10

2020

0121381号的优先权,通过引用将上述专利申请的公开内容结合在此。

技术介绍

[0003]近来,随着移动仪器、个人计算机、电动马达、和当代电容器装置已得到发展和普及,对高容量能源的需求已日渐增长。这些能源的典型示例包括锂二次电池。硅作为用于下一代型非水电解质二次电池的负极材料而已受到许多关注,因为其具有对应约10倍或更大的常规被用作负极材料的石墨基材料的容量(理论容量:372mAh/g)的容量(约4200mAh/g)。因此,已提出将与锂进行合金化并示出高理论容量的硅作为取代碳质材料的新型负极活性材料。
[0004]然而,硅在充电期间经历体积膨胀并且在放电期间经历体积收缩。为此,当二次电池进行反复地充电/放电时,用作负极活性材料的硅被微粉化并示出在电极中失去导电路径的孤立颗粒的增加,造成二次电池容量下降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种负极,包括:集电器;和负极活性材料层,所述负极活性材料层设置在所述集电器的至少一个表面上,并且包括:1)负极活性材料,所述负极活性材料包括含Mg的硅氧化物、围绕所述含Mg的硅氧化物的表面的碳涂层、和围绕所述碳涂层的表面的石墨烯涂层,2)包括单壁碳纳米管(Single

walled Carbon Nanotube,SWCNT)的导电材料,和3)粘合剂,其中所述石墨烯涂层中包含的石墨烯具有0.8至1.5的D/G带强度比,并且所述石墨烯的D/G带强度比被定义为如通过石墨烯的拉曼光谱所测定的、1360
±
50cm
‑1处的D带的最大峰强度基于1580
±
50cm
‑1处的G带的最大峰强度的比例的平均值。2.根据权利要求1所述的负极,其中所述石墨烯涂层中包含的石墨烯具有0.8至1.4的D/G带强度比。3.根据权利要求1所述的负极,其中所述含Mg的硅氧化物包括4重量%至15重量%的M...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴一根申善英金东赫李龙珠
申请(专利权)人:株式会社LG新能源
类型:发明
国别省市:

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