一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置，应用在石墨烯制备技术领域，其技术方案要点是：包括介质管、纳秒脉冲电源和高频交流电源，介质管内设置有第一地电极，介质管的外侧上依次连接有第一高压电极、第二高压电极、第三高压电极、第四高压电极与第五高压电极，第一高压电极、第三高压电极与第五高压电极均和纳秒脉冲电源通过导线相连接，第二高压电极与第四高压电极均和高频交流电源之间电性连接，介质管外包裹有异形玻璃管；具有的技术效果是：利用大气低温等离子体对氧化石墨烯进行处理，实现了对氧化石墨烯的高效还原，有效提高了石墨烯的纯度。有效提高了石墨烯的纯度。有效提高了石墨烯的纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置


[0001]本专利技术涉及石墨烯制备
，特别涉及一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置。

技术介绍

[0002]大气压低温等离子体是一种利用气体放电技术在敞开大气压条件下产生的非平衡态等离子体，由于体系中电子温度远高于重粒子温度，可以在获得较高化学活性的同时维持接近室温的气体温度，得益于等离子体内的高能电子和各种激发态物种等活性粒子的能量大、活性强的特点，可以使常规条件下难以要求发生的的化学反应在常温常压下能够实现。正因如此等离子体在化学合成、薄膜制备、材料表面处理、材料改性、臭氧生成以及纳米材料的制备等各领域得到应用与研究。作为一种极具前景的材料处理手段，低温等离子体内的高能电子和各种激发态物种等活性粒子可以充分的与GO反应，活性粒子使得GO中的化学键（如C－O、C=O）断裂，达到去除含氧官能团的效果。
[0003]常用的还原GO反应器有等离子体射流、介质阻挡放电等。等离子体射流处于开放区域，处理粉体时粉体受气流影响会发生不可控的飞散，不宜与处理GO粉末。介质阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置，其特征在于：包括介质管(6)、纳秒脉冲电源(1)和高频交流电源(2)，所述介质管(6)内设置有第一地电极(9)，所述介质管(6)的外侧上依次连接有第一高压电极(10)、第二高压电极(11)、第三高压电极(12)、第四高压电极(13)与第五高压电极(14)，所述第一高压电极(10)、第三高压电极(12)与第五高压电极(14)均和纳秒脉冲电源(1)通过导线相连接，所述第二高压电极(11)与第四高压电极(13)均和高频交流电源(2)之间电性连接，所述介质管(6)外包裹有异形玻璃管(16)，所述异形玻璃管(16)外设置有第二地电极(15)，所述异形玻璃管(16)上分别开设有入气口(17)和出气口(8)，所述出气口(8)通过进气管连通有高压气瓶(21)，所述高压气瓶(21)内装有氩气，所述异形玻璃管(16)沿长度方向两侧的开口处分别密封连接有第一密封固定塞(7)和第一密封固定塞(7)。2.根据权利要求1所述的一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置，其特征在于：所述第一地电极(9)为不锈钢材质，长160mm，半径13mm。3.根据权利要求1所述的一种用于还原氧化石墨烯的异形结构三电极同轴DBD装置，其特征在于：所述第一高压电极(10)、第二高压电极(11)、第三高压电极(12)、第四高压电极(13)与第五高压电极(14)由铜网或者铝箔制成，宽度为10mm。4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄家良，郭亮，余威成，朱玉，郭世佳，崔行磊，方志，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：