【技术实现步骤摘要】
一种金刚石磨抛系统
[0001]本技术涉及生产加工
,尤其涉及一种金刚石磨抛系统。
技术介绍
[0002]目前,随着CVD金刚石膜合成技术的飞速发展,面积越来越大的CVD金刚石薄膜被合成出来,这为CVD金刚石膜的广泛应用奠定了坚实的基础。但由于金刚石膜在生长过程中往往会产生厚度不均匀,表面凹凸不平等缺陷,这些缺陷严重制约了金刚石膜的广泛应用,因此,对CVD金刚石磨抛技术的研究就成为了其发挥优异性能的前提基础。但因为金刚石化学性质稳定,硬度高,因此磨抛效率低,难度大。目前针对金刚石的磨抛方法中使用最广范的还是机械磨抛。
[0003]其中,采用机械磨抛的方法对CVD金刚石膜进行磨抛,磨抛盘采用的是铸铁盘,由于金刚石膜的硬度远远超过铸铁的硬度,所以采用铸铁盘对金刚石膜进行磨抛,效率很低,同时进行金刚石膜磨抛时,只有磨抛盘按照固定方向进行旋转,装有金刚石膜的铜嘴不能旋转,容易造成金刚石膜沿某一个方向的划痕,影响磨抛质量。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提出一种金刚石磨抛系统,旨在解决现有金刚 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金刚石磨抛系统,其特征在于,所述系统包括磨盘(1)、机械臂(2)和与机械臂(2)连接的控制组件(3),所述机械臂(2)位于磨盘(1)上方;所述机械臂(2)下端布设有用于放置待研磨金刚石膜(4)的第一安装区;所述控制组件(3)用于控制机械臂(2)的旋转与升降;所述磨盘(1)布设有用于安装不同粒度及配比的金刚石复合片(11)的第二安装区。2.根据权利要求1所述的金刚石磨抛系统,其特征在于,所述机械臂(2)的下端连接有铜嘴(21),所述铜嘴(21)下端布设有用于放置待研磨金刚石膜(4)的第一安装区。3.根据权利要求2所述的金刚石磨抛系统,其特征在于,所述控制组件(3)包括调节控制器(31),所述调节控制器(31)用于控制铜嘴(21)的旋转。4.根据权利要求1至3中任一项所述的金刚石磨抛系统,其特征在于,所述磨盘(1)上方还设置有测距组件(6),所述测距组件(6)与机械臂(2)上端集成设置在辅助结构(...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡清明,彭国令,范旅龙,曾凡初,
申请(专利权)人:航天科工长沙新材料研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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