一种双面抛光设备去除量分布的控制方法技术

本发明专利技术涉及一种双面抛光设备去除量分布的控制方法，包括以下步骤：S1：准备工序：在双面抛光设备上录入指定去除量分布或设定均匀去除，设定加工时长；S2：装入元件开始加工，根据压力传感器收集到的抛光工作面的各点压力信息，拟合出元件上的压力分布；S3：根据S1的设定，计算正确的轨迹浓度分布；S4：根据计算所得的轨迹浓度分布，通过调整装置调节上抛光盘的在X、Y方向的摆动速度，使得元件表面的轨迹浓度符合计算结果；S5：按照设定的间隔时间，重复S2

【技术实现步骤摘要】
一种双面抛光设备去除量分布的控制方法


[0001]本专利技术涉及光学原件抛光加工领域，特别涉及一种双面抛光设备去除量分布的控制方法。

技术介绍

[0002]在平面光学元件抛光加工领域，双面抛光是一种常用的抛光方法，其可对元件的全口径进行抛光，效率较高，但难以实现对元件高点进行针对性的去除，能够加工出的平面度指标非常有限。
[0003]目前在对光学元件进行双面抛光时，通常通过上抛光盘给予元件压力，调节上下盘转速、元件进给速度等参数来实现不同的去除工艺，这种方法无法对元件各个位置的去除量进行精准调控，只能通过大量的加工实验总结经验，建立起去除量分布与工艺的联系，才能实现一定程度上控制双面抛光的去除量分布，但当上抛光盘表面的高低情况或元件自身面型产生变化后，元件表面所受到的压力分布将发生改变，抛光盘对元件的去除情况则会随之变化，使得实验总结出的去除量分布与工艺的联系不再适用，从而浪费大量的人力物力在工艺开发的过程中，影响双面抛光设备的生产效率。
[0004]因此有待于解决现有的双面抛光设备对于光学元件双面抛光加工过程，无法对元件各个位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面抛光设备去除量分布的控制方法；其特征在于包括以下步骤：S1：准备工序：在双面抛光设备上录入指定去除量分布或设定均匀去除，设定加工时长；双面抛光设备的上抛光盘上设有用于收集抛光工作面上各点压力信息的压力传感器；上抛光盘的上抛光垫位于压力传感器和元件之间；S2：装入元件开始加工，根据压力传感器收集到的抛光工作面的各点压力信息，拟合出元件上的压力分布；S3：根据S1的设定，计算正确的轨迹浓度分布；S4：根据计算所得的轨迹浓度分布，通过调整装置调节上抛光盘的在X、Y方向的摆动速度，使得元件表面的轨迹浓度符合计算结果；S5：按照设定的间隔时间，重复S2
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S4，直至加工时间结束，完成抛光过程；其中步骤S1中的指定去除量分布由元件测得面型和目标面型相减所得；其中步骤S1中的均匀去除为使得元件上各点的去除量一致的设定。2.根据权利要求1所述的一种双面抛光设备去除量分布的控制方法，其特征在于：所述S2中的压力传感器为薄膜压力传感器；所述压力传感器分布于上抛光盘用于安装上抛光垫的安装座上，且位于安装座和上抛光垫之间。3.根据权利要求2所述的一种双面抛光设备去除量分布的控制方法，其特征在于：所述压力传感器上分布设有多个用于检测压力的压敏电阻组；各压敏电阻组...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱明露，李磊，王亦君，
申请(专利权)人：常州皓研智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：