【技术实现步骤摘要】
一种高纯三氟化氮的制备方法及高纯三氟化氮的应用
[0001]本专利技术属于三氟化氮制备
,具体涉及一种高纯三氟化氮的制备方法及高纯三氟化氮的应用。
技术介绍
[0002]三氟化氮主要应用于微电子工业中,是一种优良的等离子刻蚀剂和清洗剂,尤其是对于硅、氮化硅等半导体材料,其具有相当优秀的刻蚀速度和选择性;而作为一种气体清洁剂时,三氟化氮的清洗效率高且不留痕迹。近年来随着全球半导体工业、液晶显示产业及光伏产业的增长,三氟化氮的需求急剧上升,高质量、高产能的三氟化氮的制备倍受关注。
[0003]用于提纯制备高纯三氟化氮气体的原料气,一般是采用化学合成法或电解法生产的。比较经典的化学合成法是用NH3与F2反应制得三氟化氮气体,但是采用化学合成法所制备的粗品NF3气体中各种杂质的含量较高。
[0004]有关精制提纯三氟化氮气体工艺方法在各国的专利文献中报道得较多,其具体实现的工艺方法也不尽相同、各有长短,但大部分高纯三氟化氮气体的精制工艺方法是一种在试验室实现的工艺方法,不适合较大规模的工业化生产。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯三氟化氮的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1、在保护性气体中先后独立地通入氟气和氨气,混合后得到混合气体;所述混合气体在温度为
‑
20~30℃的条件下反应3~24h,得到含有氟化氢、三氟化氮和保护性气体的混合气;S2、将S1中得到的含有氟化氢、三氟化氮和保护性气体的混合气使用氟化氢吸附剂进行吸附,得到纯化后的混合气;S3、将S2中得到的纯化后的混合气进行冷凝分离,得到高纯三氟化氮。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,S1中所述混合气体中氟气与氨气的摩尔比为(2~5):1;所述混合气体中氟气的摩尔浓度为2~15mol%,氨气的摩尔浓度1~3mol%。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,S2中所述吸附的温度为
‑
5~30℃;所述吸附在吸附装置中进行,所述含有氟化氢、三氟化氮和保护性气体的混合气通入吸附装置的气体流速为5~30ml/s。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,S2中所述氟化氢吸附剂由聚丙烯腈和化合物制成,所述化合物与聚丙烯腈的质量比为1:(0.2~5);所述化合物为碱金属氟化物、碱土金属氟化物或碱金属氟氢化合物。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述碱金属氟化物为氟化锂、氟化钾或氟化钠;所述碱土金属氟化物为氟化钡、氟化钙或氟化镁;所述碱金属氟氢化合物为氟氢化锂、氟氢化钾或氟氢化钠。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱姜涛,范娜,姚刚,李茹霞,张雷,郭君,张旭,
申请(专利权)人:中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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