一种氧化物靶材及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明专利技术通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明专利技术提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着近年来中国新型显示产业的市场竞争力不断攀升，作为全球最大TFT
‑
LCD显示面板生产基地，氧化物靶材也成为了国内的研究热点。利用ZnO、IZO、IGZO等靶材溅射得到的薄膜可用于TFT有源层，在LCD、OLED和电子纸的平板显示器(FPD)应用中，以其优异的性能引起了大量研究人员和业界人士的极大关注。
[0003]氧化物靶材的致密度、晶粒度、成分与组织结构均匀性等影响着溅射薄膜的各种电学性能和光学性能。为了提高氧化物靶材的品质，以使其满足高端显示面板产业的需求，许多研究人员对于氧化物靶材的粉体原料进行改进和提升。如中国专利技术专利CN107146816A公开了一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管，其是利用掺杂稀土氧化物改善氧化物薄膜晶体管器件的光学稳定性。
[0004]然而由于稀土元素离子半径相比于主体氧化物中的In
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物靶材，其特征在于，包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。2.根据权利要求1所述的氧化物靶材，其特征在于，元素A，B，R和M在氧化物靶材中的原子摩尔比分别为x，y，z和m，其中0.6≤x≤0.9994，0≤y≤0.3994，0.0005≤z≤0.05，0.001≤m≤0.02，x+y+z+m＝1。3.根据权利要求2所述的氧化物靶材，其特征在于，0.76≤x≤0.9994，0.005≤m≤0.015。4.根据权利要求1所述的氧化物靶材，其特征在于，氧化物靶材的电阻率小于10mΩ
·
cm，氧化物靶材的相对密度为98.5％以上。5.根据权利要求1所述的氧化物靶材，其特征在于，氧化物靶材晶粒的最大粒径尺寸小于8μm。6.权利要求1～5任意一项所述的氧化物靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将粉体压制成靶材素坯；步骤2、将靶材素坯干燥后进行脱脂处理；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，徐华，李民，陶洪，邹建华，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：