薄膜晶体管及其制备方法技术

一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元包括设置在基底上的栅电极层以及有源层，所述栅电极与所述有源层绝缘，所述有源层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅电极层远离所述基底一侧，且所述第一部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠，所述第二部分位于所述栅电极层靠近所述基底一侧，且所述第二部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠。电极层在所述基底上的正投影交叠。电极层在所述基底上的正投影交叠。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着芯片的集成度变高，薄膜晶体管的结构从planar，FinFET到GAA节点，核心思想是保持栅电极层对沟道的控制(栅电极层和沟道的接触面积)的基础上，把薄膜晶体管器件做小。随着薄膜晶体管器件不断变小，工艺尺寸变小，制备难度增加。薄膜晶体管器件本身也出现了性能的问题，比如，开启电流不足；栅电极层不易关断，漏电增加；薄膜晶体管器件距离太近，相互影响增加。
[0003]目前，铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，简称：IGZO)材质的薄膜晶体管都是平面结构，源极、栅电极层以及漏极在基底上平铺，集成度不高。另外，铟镓锌氧化物对水和氧都相当敏感，需要在铟镓锌氧化物上形成一层保护层，来隔绝空气中的氧气和水蒸气。
[0004]传统晶体管，沟道宽度小，栅极无法对沟道电流进行有效的控制，影响沟道性能。

技术实现思路

[0005]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元包括设置在基底上的栅电极层以及有源层，所述栅电极层与所述有源层绝缘，所述有源层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅电极层远离所述基底一侧，且所述第一部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠，所述第二部分位于所述栅电极层靠近所述基底一侧，且所述第二部分在所述基底上的正投影与至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影交叠。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，至少部分所述栅电极层在所述基底上的正投影均与所述第一部分在所述基底上的正投影和所述第二部分在所述基底上的正投影交叠。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括第三部分，所述第三部分将所述第一部分与所述第二部分连接，所述第三部分、所述第一部分以及所述第二部分围成中空结构，至少部分所述栅电极层设置在所述中空结构内。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分一体成型。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一部分与所述栅电极层之间。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置在所述第二部分与所述栅电极层之间。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极层包括第一栅电极部和第二栅电极部，所述第一栅电极部在所述基底的正投影均与所述第一部分在所述基底上的正投影和所述第二部分在所述基底上的正投影交叠，所述第二栅电极部在所述基底的正投影均与所述第一部分和第二部分在所述基底的正投影不交叠，所述薄膜晶体管还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第二栅电极部远离所述基底一侧。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一保护层，所述第一保护层设置在所述第一绝缘层远离所述基底一侧。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一部分远离所述基底一侧表面设置有凹槽，至少部分所述第一保护层设置在所述凹槽中。10.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极层包括第一栅电极部和第二栅电极部，所述第一栅电极部在所述基底的正投影均与所述第一部分在所述基底上的正投影和所述第二部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗杰，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：