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一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元包括设置在基底上的栅电极层以及有源层，所述栅电极与所述有源层绝缘，所述有源层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅电极层远离所述基底一侧，且所述第...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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