基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间。本发明专利技术所提供的光控太赫兹波调制芯片，其在0.2

【技术实现步骤摘要】
基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太赫兹器件领域，尤其涉及一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]太赫兹(THz)波具有宽带、低光子能量和指纹特征，在无线通信、成像、生物医学等领域有着广泛的应用。然而，缺乏优秀的光电器件在一定程度上限制了太赫兹波技术的发展。二维(2
‑
Dimension，简称2D)材料具有独特的物理特性，如可调谐的能带结构、原子薄膜的厚度、强光与物质的相互作用、快速的载流子复合等，为研究基础物理和重要器件概念中的光与物质相互作用提供了一个有趣的平台。
[0003]在实现本专利技术的过程中，申请人发现：现有技术的光控太赫兹波调制芯片有较高的调制深度但调制速率较为缓慢，从而影响其在光电器件中的发展。

技术实现思路

[0004](一)要解决的技术问题
[0005]有鉴于此，本专利技术期望至少部分解决上述技术问题中的其中之一，特提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于所述绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间。2.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，还包括：第二薄膜，形成于所述碲薄膜之上或绝缘衬底和碲薄膜之间；其中，所述碲薄膜和第二薄膜的界面形成二维范氏异质结。3.根据权利要求2所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述第二薄膜为以下薄膜中的一种：锗薄膜、砷薄膜、过渡金属硫族化合物薄膜。4.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述第二薄膜为锗薄膜，所述碲薄膜和锗薄膜在界面处形成二维范氏异质结。5.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述第二薄膜的厚度介于1nm～200nm之间。6.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述碲薄膜的厚度介于1nm～200nm之间。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述绝缘衬底为：双抛石英衬底或蓝宝石衬底。8.一种用于权利要求1至6中任一项所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：周庆莉，张朴婧，陈金禹，施惠文，张存林，
申请(专利权)人：首都师范大学，
类型：发明
国别省市：