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本发明提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间。本发明所提供的光控太赫兹波调制芯...
该专利属于首都师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过首都师范大学授权不得商用。

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