【技术实现步骤摘要】
一种均匀导气的管式炉
[0001]本技术涉及化学气相沉积(CVD)管式炉
,特别涉及一种均匀导气的管式炉。
技术介绍
[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体在基质表面反应形成薄膜或纳米材料的一种化工技术,是半导体领域中制备薄膜材料应用最为广泛的技术之一。该技术主要是利用一种或几种气相化合物或单质,在基质表面上进行化学反应生成薄膜或纳米材料。
[0003]申请人发现在使用管式炉进行CVD法制备二维材料时,气流扩散不均匀,导致化学气体结合不均匀,导致材料制备可重复性差;且当样品为轻质粉末时,不稳定的气流容易将粉末吹飞,导致污染其他原材料、药品浪费、污染石英管、堵塞出气口等。因此,气流平稳和气体扩散均匀是管式炉CVD法制备二维材料
亟须解决的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种均匀导气的管式炉。
[0005]为了解决上述技术问题,本技术提供一种均匀导气的管式炉,包括:
[0006]一炉体;
[0007]一石英管,其穿设于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种均匀导气的管式炉,其特征在于,包括:一炉体(1);一石英管(2),其穿设于该炉体(1)内,且其两端部自该炉体(1)向外伸出,该两端部包括第一端部(21)和第二端部(22);二法兰,其分别设于该石英管(2)的第一端部(21)和第二端部(22)上;一导气装置(4),位于该石英管(2)的第一端部(21)上,其包括穿设在该第一端部(21)的法兰上的一进气管(41)、以及设于该石英管(2)内与该进气管(41)连通的一导气结构;该导气结构包括一进气主管道(42)、与该进气主管道(42)连通的一导气主管道(43)、与该进气主管道(42)连通并与该导气主管道(43)呈环形平行设置的若干导气支管道(44)、以及一顺次衔接各导气支管道(44)的环形加固件(45);一出气管(5),其穿设在第二端部(22)的法兰上。2.根据权利要求1所述的均匀导气的管式炉,其特征在于:所述进气主管道(42)的管径大于所述导气主管道(43)的管径,所述导气主管道(43)的管径与所述导气支管道(44)的管径相同。3.根据权利要求1所述的均匀导气的管式炉,其特征在于:所述进气主管道(42)的管径与所述导气主管道(43)的管径比为(9
‑
10):(4
‑
5)。4.根据权利要求1所述的均匀导气的管式炉,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁丛辉,罗雨,戴李宗,罗伟昂,许一婷,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:新型
国别省市:
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