【技术实现步骤摘要】
一种将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置
[0001]本技术涉及晶片的抛光工艺,更具体地说,涉及一种将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置。
技术介绍
[0002]砷化镓作为第二代半导体,因其单晶价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。可在一块芯片上同时处理光电数据,因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外,因其电子迁移率比硅高6倍,砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。
[0003]目前仍采用TP盘(无蜡垫)的方式对砷化镓晶片进行抛光。在使用TP盘之前需要首先将TP盘粘贴在陶瓷盘上,在粘贴TP盘时需要事先在陶瓷盘上确定TP盘的位置,在确定TP盘的位置时需要测量TP盘距离陶瓷盘边缘的距离等。在确定好TP盘的位置后需要逐个将TP盘粘贴在陶瓷盘上,最后还需要逐个对TP盘施加压力,以使TP盘粘黏的更加牢固。上述粘贴TP盘的方式不仅增加了作业人员的工作量,而且还大大降低了粘贴效率。
[0004]因此,如何减少作业人员的工作量,同时提高粘贴效率,是本领域技术人员亟待解决的关键性问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置,其特征在于,包括:吸附盘(2);吸附头(5),所述吸附头(5)设置在吸附盘(2)的一侧,所述吸附盘(2)的另一侧与真空设备(4)连接,所述吸附头(5)远离所述吸附盘(2)的端部设置有吸附孔(1),所述真空设备(4)通过所述吸附盘(2)的内腔与所述吸附孔(1)连通,所述吸附孔(1)用于吸附TP盘,所述吸附头(5)为多个;升降装置,所述升降装置用于驱动所述吸附盘(2)升降;设置于所述吸附盘(2)下方的陶瓷盘放置区,所述陶瓷盘放置区用于放置陶瓷盘,所述陶瓷盘上具有多个TP盘待粘贴位,多个所述TP盘待粘贴位与多个所述吸附头(5)一一对齐。2.根据权利要求1所述的将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置,其特征在于,所述真空设备(4)由吸力开关控制启停。3.根据权利要求1所述的将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置,其特征在于,所述升降装置为气缸装置。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨小丽,郑金龙,周铁军,马金峰,
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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