一种多层膜复合钎料制备装置，包括机架和设置在机架上的电弧离子镀室与磁溅真空室；所述电弧离子镀室和磁溅真空室均设置有用于调节气压的真空调节组件；所述电弧离子镀室包括镀膜室本体和设置在镀膜室本体内的内圆圈架，镀膜室本体侧壁上设置有多个离子源，镀膜室本体底部设置有旋转组件，旋转组件用于带动内圆圈架转动，内圆圈架上固定有样品托，内圆圈架内沿轴向贯穿设置有加热棒；所述磁溅真空室包括磁溅真空室本体、磁控溅射枪和样品托，磁控溅射枪设置在磁溅真空室本体内的顶部，样品托转动设置在磁溅真空室本体内的底部。本实用新型专利技术能够制备出润湿性好、钎焊温度低的钛基多层膜复合钎料，弥补市场多层膜复合钎料制备装置的空白。的空白。的空白。
【技术实现步骤摘要】
一种多层膜复合钎料制备装置
[0001]本技术涉及钎焊材料制备
，具体涉及一种多层膜复合钎料制备装置。
技术介绍
[0002]钎料是为实现两种材料或零件的结合，在其间隙内或间隙旁所加的填充料，适宜连接复杂、精密、多铤缝或异类材料的焊接。复合钎料是在一般的合金钎料中复合入一定体积比的作为增强相的各种形态的高温合金、碳纤维、陶瓷等所形成的钎料。这种钎料通过复合效应，形成了类似于金属基复合材料的复合钎料，一般具有较好的填缝能力以及较低的热膨胀系数等特点，能够实现陶瓷与金属接头的匹配，降低残余应力，提高接头高温强度。但是，钛基钎料本身比较脆、塑性差、可加工性性能差、钛基薄带钎料成形难，在制备超薄钛基钎料时存在局限性和难度。多层膜复合钎料包含一层作为基体钎料的复合钎料以及覆盖在基体钎料两个表面的多层纳米薄膜，利用多层膜钎料制备技术可成功研制出钛基多层膜钎料，解决困扰钎焊工作者的钛基薄型钎料的成形难题。
[0003]专利号为CN107186373A的中国专利技术专利“一种钛基多层膜钎料及其制备方法”，公布了一种利用真空原位和磁控溅射技术制备钛基多层膜钎料的方法，但未提供相关制备装置，且目前市场上有关多层膜钎料的制备装置也是空白，在保证多层膜钎料的高质量成型方面存在局限性。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为解决上述技术问题，提供一种多层膜复合钎料制备装置，能够制备出润湿性好、钎焊温度低的钛基多层膜复合钎料，弥补市场多层膜复合钎料制备装置的空白。
[0005]本技术为解决上述技术问题，所提供的技术方案是：一种多层膜复合钎料制备装置，包括机架和设置在机架上的电弧离子镀室与磁溅真空室；所述电弧离子镀室和磁溅真空室均设置有真空调节组件，真空调节组件用于调节镀膜室本体和磁溅真空室本体内的气压；所述电弧离子镀室包括镀膜室本体和设置在镀膜室本体内的内圆圈架，镀膜室本体侧壁上设置有多个离子源，镀膜室本体底部设置有旋转组件，旋转组件用于带动内圆圈架转动，内圆圈架上固定有样品托，内圆圈架内沿轴向贯穿设置有加热棒；所述磁溅真空室包括磁溅真空室本体、磁控溅射枪和样品托，磁控溅射枪设置在磁溅真空室本体内的顶部，样品托转动设置在磁溅真空室本体内的底部。
[0006]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述机架上设置有控制面板，控制面板电性连接有控制器。
[0007]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述真空调节组件包括高压气体储气罐和真空泵，高压气体储气罐通过进气管与镀膜室本体、磁溅真空室本体连通，真空泵通过排气管与镀膜室本体、磁溅真空室本体连通。
[0008]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述真空调节组件还包括设置在镀膜室本体内和磁溅真空室本体内的压力传感器。
[0009]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述高压气体储气罐储存气体为氩气。
[0010]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述内圆圈架呈中空的圆柱形结构，所述旋转组件包括减速器和电机，内圆圈架的底端通过减速器与电机传动连接。
[0011]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述磁溅真空室本体底部设置有旋转台，旋转台底端传动连接有变频电机，样品托固定在旋转台上。
[0012]作为本技术一种多层膜复合钎料制备装置的进一步优化：所述镀膜室本体和磁溅真空室本体上均设置有观察镜。
[0013]本技术多层膜复合钎料制备装置的有益效果
[0014]一、本技术装置填补了市场上有关多层膜复合钎料制备装置的空白，通过电弧离子镀室与磁溅真空室的配合，有效地实现了多层膜复合钎料的制备，结构简单，操作简便，生产效率高，适应范围广，生产的钎料质量好，可实现多层膜钎料的直接成型。
[0015]二、本技术所制备的多层膜复合钎料不仅包括钛基多层膜钎料，还包括镍基、银基、铜基等系列箔带钎料，熔化温度低、润湿性好、塑性强、可加工性强，解决了传统多层膜钎料自身脆性大、成形难、性能差的难题。
附图说明
[0016]图1为多层膜复合钎料制备装置的结构示意图；
[0017]图2为多层膜复合钎料制备装置的局部剖视图；
[0018]图3为多层膜复合钎料制备装置的右视图；
[0019]图4为电弧离子镀室的示意图；
[0020]图中标记：1、机架，2、控制面板，3、镀膜室本体，4、磁控溅射枪，5、磁溅真空室本体，6、内圆圈架，7、减速器，8、离子源，9、压力传感器，10、加热棒，11、观察镜。
具体实施方式
[0021]下面结合附图及较佳实施例详细说明本技术的具体实施方式。
[0022]如图1
‑
3所示：一种多层膜复合钎料制备装置，包括机架1、设置在机架1上的电弧离子镀室和磁溅真空室，电弧离子镀室用于使复合基体钎料表面生成阻挡层，电弧离子镀过程中使用靶材在工件表面得到均匀的膜厚分布，磁溅真空室用于使复合基体钎料的阻挡层表面磁控溅射与基体钎料成分相同的纳米薄膜。根据现有技术，电弧离子镀技术属于冷场致弧光放电，电弧离子镀技术工艺过程如下：烘烤加热工件及氨离子复击净化。工件经清洗入炉后抽真空。当真空度达到6x10
‑3Pa后，开启烘烤加热电源，可以通过加热棒10对工件进行加热。达到一定温度后，通入氨气，真空度降至2～3Pa，接通工件偏压电源，电压调至800～1000V。此时产生辉光放电，获得氩离子。氩离子在负偏压电场的作用下，对工件进行轰击净化，装击时间10
‑
20min。
[0023]机架1上设置有控制面板2，控制面板2电性连接有控制器，控制器指按照预定顺序
改变主电路或控制电路的接线和改变电路中电阻值来控制电动机的启动、调速、制动和反向的主令装置。由程序计数器、指令寄存器、指令译码器、时序产生器和操作控制器组成。通过控制面板2和控制器的配合，可实现对真空泵组、溅射电源的控制等功能。
[0024]电弧离子镀室包括镀膜室本体3和设置在镀膜室本体3内的内圆圈架6。镀膜室本体3侧壁上设置有多个离子源8，镀膜室本体3底部设置有旋转组件，旋转组件用于带动内圆圈架6转动，内圆圈架6上固定有样品托，内圆圈架6内沿轴向贯穿设置有加热棒10，内圆圈架6可以带动样品托转动，加速复合基体钎料表面利用真空原位生成阻挡层。电弧离子镀室具体结构采用现有的成熟电弧离子镀设备。
[0025]内圆圈架6呈中空的圆柱形结构，所述旋转组件包括旋转轴、减速器7和电机，旋转轴外套设有加热棒10并贯穿内圆圈架6，并且旋转轴的两端分别与内圆圈架6的上端面和下端面固定连接，旋转轴穿过内圆圈架6后与镀膜室本体3顶部转动连接，旋转轴底端连接有减速器7，减速器7与电机的动力输出轴传动连接。减速器7是一种由封闭在刚性壳体内的齿轮传动、蜗杆传动、齿轮
‑
蜗杆传动所组成的独立部件，常用作原动件与工作机之本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多层膜复合钎料制备装置，其特征在于：包括机架(1)和设置在机架(1)上的电弧离子镀室与磁溅真空室；所述电弧离子镀室和磁溅真空室均设置有真空调节组件，真空调节组件用于调节镀膜室本体(3)和磁溅真空室本体(5)内的气压；所述电弧离子镀室包括镀膜室本体(3)和设置在镀膜室本体(3)内的内圆圈架(6)，镀膜室本体(3)侧壁上设置有多个离子源(8)，镀膜室本体(3)底部设置有旋转组件，旋转组件用于带动内圆圈架(6)转动，内圆圈架(6)上固定有样品托，内圆圈架(6)内沿轴向贯穿设置有加热棒(10)；所述磁溅真空室包括磁溅真空室本体(5)、磁控溅射枪(4)和样品托，磁控溅射枪(4)设置在磁溅真空室本体(5)内的顶部，样品托转动设置在磁溅真空室本体(5)内的底部。2.如权利要求1所述一种多层膜复合钎料制备装置，其特征在于：所述机架(1)上设置有控制面板(2)，控制面板(2)电性连接有控制器。3.如权利要求1所述一种多层膜复合钎料制备装置，其特征在于：所述真空调节组件包括高...
【专利技术属性】
技术研发人员：王星星，李阳，何鹏，李红，温国栋，贾连辉，龙伟民，于华，纠永涛，方乃文，金李梅，吴文君，顾立勇，李帅，王振，
申请(专利权)人：华北水利水电大学，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。