【技术实现步骤摘要】
用于磁控直拉单晶的超导磁体及其冷却方法
[0001]本申请涉及半导体生产设备
,特别涉及用于磁控直拉单晶的超导磁体及其冷却方法。
技术介绍
[0002]单晶硅作为半导体器件的重要原料,广泛应用于大规模集成电路中。在直拉单晶硅的生长系统上附加一定强度的磁场,能够有效提高单晶硅棒的均匀性和品质。
[0003]用于磁控直拉单晶的超导磁体,其中心孔内需要放置单晶炉及配套的升降装置,因此需要占用大量空间。而且为了提高磁场强度和磁场均匀区范围,超导磁体的规格一般很大,直径约1.6米至2.4米,磁体总重量约10吨,其中超导线圈冷体部分重量将近3吨,而这部分超导线圈需要从室温300K降温至4.2K。降温时可以采用液氦或GM制冷机,虽然液氦降温的速度快,但是液氦属于资源稀缺,因此价格昂贵,导致降温的成本较高,而采用GM制冷机虽然成本较低,但是降温耗时巨大,即使采用4台制冷机同时降温,也需要约17天左右的降温时间。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供了用于磁控直拉单晶的超导磁体及其冷却方法,用以解决现有技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于磁控直拉单晶的超导磁体,其特征在于,包括:超导线圈(1);导冷板(3),所述超导线圈(1)设置在所述到冷板(1)的侧面上;液氮箱(4),内部用于存放液氮,所述导冷板(3)的一端与所述液氮箱(4)连接,所述液氮箱(4)用于通过液氮将所述超导线圈(1)冷却至第一温度;GM制冷机(6),所述GM制冷机(6)的冷头与所述导冷板(3)连接,所述GM制冷机(6)用于对所述导冷板(3)降温,进而使所述超导线圈(1)冷却至第二温度,所述第二温度低于第一温度,且所述第二温度低于或等于所述超导线圈(1)的临界温度。2.根据权利要求1所述的用于磁控直拉单晶的超导磁体,其特征在于,还包括:低温恒温器(2),所述超导线圈(1)、导冷板(3)和液氮箱(4)均设置在所述低温恒温器(2)内部,所述低温恒温器(2)用于隔绝外部热量。3.根据权利要求2所述的用于磁控直拉单晶的超导磁体,其特征在于,所述低温恒温器(2)包括:辐射屏,位于所述超导线圈(1)、导冷板(3)和液氮箱(4)外部;真空杜瓦,设置在所述辐射屏外部,且所述真空杜瓦和辐射屏之间的空间为真空状态。4.根据权利要求3所述的用于磁控直拉单晶的超导磁体,其特征在于,所述GM制冷机(6)...
【专利技术属性】
技术研发人员:张弛,李超,马鹏,刘伟,葛正福,兰贤辉,李猛,周涛,闫果,刘向宏,冯勇,张平祥,
申请(专利权)人:西安聚能超导磁体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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