一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，包括氮化硅基板、铜层及金属导热层，所述氮化硅基板的表面设有铜层，且其背面设有金属导热层，其特征在于所述氮化硅基板与铜层之间设有过渡层，用于降低氮化硅与铜材料的热膨胀系数差，所述过渡层的热膨胀系数介质氮化硅和铜之间，在氮化硅基板与铜层中间过渡焊接一层2mm厚的铬层，金属铬热膨胀系数介于氮化硅与铜之间，且具有低导电率特性，降低材料间热膨胀系数差，有效降低键合区应力，提升陶瓷覆铜基板热循环能力。提升陶瓷覆铜基板热循环能力。提升陶瓷覆铜基板热循环能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构


[0001]本技术涉及陶瓷覆铜基板生产
，具体涉及一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构。

技术介绍

[0002]陶瓷覆铜基板是大功率电子电力技术的基础材料，陶瓷覆铜板由陶瓷基材，键合粘接层及导电层等构成。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，因而降低其热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用而言，目前常用的陶瓷基板不是最佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性，为了降低材料键合区的应力，提升热循环能力，故提出了一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，改善了基板热循环能力，延长了其使用寿命。
[0004]本技术的技术方案如下：
[0005]一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，包括氮化硅基板、铜层及金属导热层，所述氮化硅基板的表面设有铜层，且其背面设有金属导热层，所述氮化硅基板与铜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，包括氮化硅基板（1）、铜层（3）及金属导热层（4），所述氮化硅基板（1）的表面设有铜层（3），且其背面设有金属导热层（4），其特征在于所述氮化硅基板（1）与铜层（3）之间设有过渡层，用于降低氮化硅与铜材料的热膨胀系数差，所述过渡层的热膨胀系数介于氮化硅和铜之间。2.根据权利要求1所述的一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，其特征在于所述过渡层为铬层（2）、铂层或钼层。3.根据权利要求2所述的一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，其特征在于所述过渡层优选铬层（2）。4.根据权利要求3所述的一种高热循环能力的陶瓷覆铜基板结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴浩凯，叶阳天，李亚飞，程钰翔，董大鑫，黄涵逸，李科桥，闾川阳，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：新型
国别省市：