半导体装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种功耗低的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及电容器。第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极。对于第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性。第一晶体管具有在处于关闭状态时保持对应于第一数据的第一电位的功能。第二晶体管具有使输出电流流过第二晶体管的源极

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及电子设备


[0001]本说明书说明半导体装置等。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、摄像装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、显示系统、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。

技术介绍

[0003]现在，以人脑结构为模型的集成电路的开发日益火热。该集成电路组装有作为脑子结构的电子电路且包括相当于人脑的“神经元”及“神经突触”的电路。因此，有时将上述集成电路称为“神经形性(neuro
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morphic)”、“脑子形性(brain
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morphic)”或“脑子激发(brain
‑
inspire)”。该集成电路具有非诺依曼型体系结构，与随着处理速度的增大功耗也变高的诺依曼型体系结构相比，可以期待以极低功耗进行并列处理。
[0004]包括“神经元”及“神经突触”的模仿神经网络的数据处理模型被称为人工神经网络(ANN)。通过利用人本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电容器，其中，所述第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，所述第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极，对于所述第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性，所述第一晶体管在处于关闭状态时保持对应于经过所述第一晶体管供应到所述第二背栅极的第一数据的第一电位的功能，所述电容器具有根据对应于供应到所述电容器的一个电极的第二数据的电位的变化将保持在所述第二背栅极中的所述第一电位转换为第二电位的功能，所述第二晶体管具有使对应于所述第二背栅极的电位的输出电流流过所述第二晶体管的源极
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漏极间的功能，所述输出电流是所述第二晶体管在亚阈值区域中工作时流过的电流，并且，所述第二栅极被供应恒电位。2.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电容器，其中，所述第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，所述第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极，对于所述第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性，所述电容器的一个电极与所述第二栅极电连接，所述电容器的另一个电极被供应恒电位，所述第一晶体管在处于关闭状态时保持对应于经过所述第一晶体管供应到所述第二背栅极的第一数据的第一电位的功能，所述第二晶体管具有使对应于所述第二背栅极的电位的输出电流流过所述第二晶体管的源极
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漏极间的功能，并且，所述输出电流是所述第二晶体管在亚阈值区域中工作时流过的电流。3.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电容器，其中，所述第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，所述第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极，对于所述第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性，所述电容器的一个电极与所述第二背栅极电连接，所述电容器的另一个电极被供应恒电位，所述第一晶体管在处于关闭状态时保持对应于经过所述第一晶体管供应到所述第二
背栅极的第一数据的第一电位的功能，所述第二晶体管具有使对应于所述第二背栅极的电位的输出电流流过所述第二晶体管的源极
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漏极间的功能，并且，所述输出电流是所述第二晶体管在亚阈值区域中工作时流过的电流。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体装置还包括电路，所述电路与所述第一栅极电连接，并且所述电路具有生成控制所述第一晶体管的开启或关闭的信号的功能。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中对于所述第一背栅极的栅极绝缘层包含含有铪和锆中的一方或双方的氧化物。6.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第一电容器；第二电容器；以及铁电电容器，其中，所述第一至第三晶体管都包括栅极及背栅极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个及所述第一电容器的一个电极电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的背栅极及所述第一电容器的另一个电极电连接，所述第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：乡户宏充，黑川义元，津田一树，大下智，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：