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提供一种功耗低的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及电容器。第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极。对于第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性。第一晶体管具有在处于关闭状态时保持对应于第一数据的第一电...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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